IRF5803TRPBF分立半导体 晶体管 MOSFET
日期：2022-9-19类别：会员资讯
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| 制造商: | Infineon |
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| 产品种类: | MOSFET |
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| RoHS: | 详细信息 |
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| 技术: | Si |
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| 安装风格: | SMD/SMT |
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| 封装 / 箱体: | TSOP-6 |
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| 晶体管极性: | P-Channel |
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| 通道数量: | 1 Channel |
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| Vds-漏源极击穿电压: | 40 V |
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| Id-连续漏极电流: | 3.4 A |
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| Rds On-漏源导通电阻: | 190 mOhms |
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| Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
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| Vgs th-栅源极阈值电压: | 2 V |
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| Qg-栅极电荷: | 25 nC |
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| 最小工作温度: | - 55 C |
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| 最大工作温度: | + 150 C |
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| Pd-功率耗散: | 1.3 W |
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| 通道模式: | Enhancement |
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| 封装: | Reel |
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| 封装: | Cut Tape |
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| 封装: | MouseReel |
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| 商标: | Infineon / IR |
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| 配置: | Single |
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| 高度: | 1.1 mm |
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| 长度: | 3 mm |
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| 产品类型: | MOSFET |
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| 工厂包装数量: | 3000 |
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| 子类别: | MOSFETs |
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| 晶体管类型: | 1 P-Channel |
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| 宽度: | 1.5 mm |
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| 零件号别名: | IRF5803TRPBF SP001564566 |
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| 单位重量: | 20 mg |
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