FGA40N65SMD

 FGA40N65SMD

制造商: onsemi

产品种类: IGBT 晶体管

RoHS: 详细信息

技术: Si

封装 / 箱体: TO-3PN

安装风格: Through Hole

集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V

集电极—射极饱和电压: 2.5 V

栅极/发射极最大电压: 20 V

在25 C的连续集电极电流: 80 A

Pd-功率耗散: 349 W

系列: FGA40N65SMD

封装: Tube

商标: onsemi / Fairchild

栅极—射极漏泄电流: 400 nA

产品类型: IGBT Transistors

工厂包装数量: 30

子类别: IGBTs

单位重量: 6.401 g