NTH4L020N090SC1

制造商: onsemi

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: SiC

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-247-4L

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 900 V

Id-连续漏极电流: 118 A

Rds On-漏源导通电阻: 28 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V, + 22 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 4.3 V

Qg-栅极电荷: 196 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 484 W

通道模式: Enhancement

系列: NTH4L020N090SC1

封装: Tube

商标: onsemi

配置: Single

下降时间: 14 ns

正向跨导 - 最小值: 49 S

产品类型: MOSFET

上升时间: 28 ns

工厂包装数量: 30

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 29 ns

典型接通延迟时间: 54 ns