NVMFS5C426NAFT1G

制造商: onsemi

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SO-8FL-4

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 40 V

Id-连续漏极电流: 235 A

Rds On-漏源导通电阻: 1.1 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V

Qg-栅极电荷: 65 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 128 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

商标: onsemi

配置: Single

下降时间: 9 ns

正向跨导 - 最小值: 145 S

产品类型: MOSFET

上升时间: 47 ns

包装数量：1500

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 36 ns

典型接通延迟时间: 15 ns

单位重量: 750 mg