IRF630NPBF

参数名称	参数值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
生命周期	Transferred
Objectid	2014246556
零件包装代码	TO-220AB
包装说明	LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3
针数	3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
风险等级	1.93
其他特性	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）	94 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	9.3 A
最大漏极电流 (ID)	9.3 A
最大漏源导通电阻	0.3 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	250
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	82 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	37 A
认证状态	Not Qualified
子类别	FET General Purpose Power
表面贴装	NO
端子面层	MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

公司主要经营：IC电子元器件，电子电容电阻，二三极管一系列配单品牌全系列支持询价订货！量大价优！

全新原厂正品，公司现货，实单价格可谈

深圳市安博晨科技有限公司

联系方式：

135 3056 2948 李小姐微信同号

qq:2885524144