MX25L8006EM2I-12G
日期:2023-6-3详细参数
参数名称 | 参数值 |
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是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Not Recommended |
Objectid | 1846701355 |
零件包装代码 | SOIC |
包装说明 | SOP, SOP8,.3 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | unknown |
Country Of Origin | Taiwan |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.32.00.51 |
Factory Lead Time | 24 weeks |
风险等级 | 6.94 |
YTEOL | 5 |
备用内存宽度 | 1 |
最大时钟频率 (fCLK) | 86 MHz |
数据保留时间-最小值 | 20 |
耐久性 | 100000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
长度 | 5.28 mm |
内存密度 | 8388608 bit |
内存集成电路类型 | FLASH |
内存宽度 | 2 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
字数 | 4194304 words |
字数代码 | 4000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 4MX2 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOP |
封装等效代码 | SOP8,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
并行/串行 | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 3/3.3 V |
编程电压 | 2.7 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 2.16 mm |
串行总线类型 | SPI |
最大待机电流 | 0.00001 A |
子类别 | Flash Memories |
最大压摆率 | 0.02 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
类型 | NOR TYPE |
宽度 | 5.23 mm |
写保护 | HARDWARE/SOFTWARE |