AT45DB161E-SHD-T
日期：2023-6-3详细参数
| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| 是否无铅 |  不含铅 |
| 是否Rohs认证 |  符合 |
| 生命周期 | Transferred |
| Objectid | 1099000264 |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | SOP, SOP8,.3 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.32.00.51 |
| 风险等级 | 8.12 |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 85 MHz |
| 数据保留时间-最小值 | 20 |
| 耐久性 | 100000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e4 |
| 长度 | 5.29 mm |
| 内存密度 | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型 | FLASH |
| 内存宽度 | 1 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 字数 | 16777216 words |
| 字数代码 | 16000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 16MX1 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装等效代码 | SOP8,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 电源 | 3/3.3 V |
| 编程电压 | 2.7 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 2.16 mm |
| 串行总线类型 | SPI |
| 最大待机电流 | 0.000002 A |
| 子类别 | Flash Memories |
| 最大压摆率 | 0.023 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | NICKEL PALLADIUM GOLD |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 类型 | NOR TYPE |
| 宽度 | 5.24 mm |
| 写保护 | HARDWARE/SOFTWARE |