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bychip可替代_FDS6875-NL

日期:2023-7-18类别:会员资讯 阅读:946 (来源:互联网)
公司:
深圳市百域芯科技有限公司
联系人:
郑佳妮
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深圳市福田区华强北街道世纪汇都会轩4507

bychip可替代_FDS6875-NL导读

N 型半导体也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。

所以通常提到NMOS和PMOS指的就是这两种。 结合下图与上面的内容也能解释为什么实际应用以增强型为主,主要还是电压为0的时候,D极和S极能否导通的问题。在实际应用中,以 增强型NMOS 和 增强型PMOS 为主。


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bychip可替代

VGS(th)(开启电压) 当外加栅极控制电压 VGS 超过 VGS(th) 时,漏区和源区的表面反型层形成了连接的沟道。此参数一般会随结温度的上升而有所降低。应用中,常将漏极短接条件下 ID 等于 1 毫安时的栅极电压称为开启电压。

PMOS的导通电阻大,发热大,相对NMOS来说不易通过大电流。我们通过原理分析可以得知,NMOS 是电子的移动,PMOS那就是空穴的移动,空穴的迁移率比电子低,尺寸与电压相等的条件下,PMOS的跨导小于 NMOS,形成空穴沟道比电子沟道更难。PMOS价格贵,厂商少,型号少。(相对而言,其实MOS管发展到现在,普通的应用 PMOS 和 NMOS 都有大量可方便选择的型号)。 PMOS的阈值电压教NMOS高,因此需要更高的驱动电压,充放电时间长,开关速度更低。所以导致现在的格局:NMOS价格便宜,厂商多,型号多。

对于人类发展而言,肯定是从某个事物简单的的部分开始深入研究发展,教学也是相同的道理,从某个简单部分开始更能够让人入门了解一个事物,然后再步步深入。为什么介绍MOS管的文章都以NMOS举例?说白了就是NMOS相对 PMOS 来说:简单点。这个简单点,包括生产难度,实现成本,实现方式等等。

MOS管的导通条件 MOS管的开关条件: N沟道:导通时 Vg> Vs,Vgs> Vgs(th)时导通; P沟道:导通时 Vg< Vs,Vgs< Vgs(th)时导通。 MOS管导通条件:|Vgs| > |Vgs(th)|。


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IRLML2502TRPBF

AO4616、AO4724、AO4828、AO6601、AO6800、AO6800、AO7800、AOD240、AOD240、AOD403。

AP2310GN、AP2310N、AP2625GY、AP4407GM、AP4575GM、AP6906GH-HF、AP85U03GH-HF、AP9575AGH、AP9575GM、APM1403ASC-TRL。

在 MOS管中,半导体材料通常是硅。MOS管的基本原理是利用一个金属栅极、氧化物和半导体组成的结构来控制导体的电阻。

AM4902N-T1-PF、AO3402、AO3402、AO3414、AO3415、AO3416、AO3419、AO3421E、AO3460、AO4286 。

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MOS电容的特性能被用来形成MOS管。其中一个称为source,另一个称为drain。Gate,电介质和backgate保持原样。在GATE的两边是两个额外的选择性掺杂的区域。

如果这个晶体管的GATE相对于BACKGATE正向偏置,电子就被吸引到表面,空穴就被排斥出表面。硅的表面就积累,没有channel形成。


文章来源:   www.bychip.cn



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