bychip可替代_FDS6875-NL

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N 型半导体也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。

所以通常提到NMOS和PMOS指的就是这两种。 结合下图与上面的内容也能解释为什么实际应用以增强型为主，主要还是电压为0的时候，D极和S极能否导通的问题。在实际应用中，以 增强型NMOS 和 增强型PMOS 为主。

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VGS(th)(开启电压) 当外加栅极控制电压 VGS 超过 VGS(th) 时，漏区和源区的表面反型层形成了连接的沟道。此参数一般会随结温度的上升而有所降低。应用中，常将漏极短接条件下 ID 等于 1 毫安时的栅极电压称为开启电压。

PMOS的导通电阻大，发热大，相对NMOS来说不易通过大电流。我们通过原理分析可以得知，NMOS 是电子的移动，PMOS那就是空穴的移动，空穴的迁移率比电子低，尺寸与电压相等的条件下，PMOS的跨导小于 NMOS，形成空穴沟道比电子沟道更难。PMOS价格贵，厂商少，型号少。（相对而言，其实MOS管发展到现在，普通的应用 PMOS 和 NMOS 都有大量可方便选择的型号）。 PMOS的阈值电压教NMOS高，因此需要更高的驱动电压，充放电时间长，开关速度更低。所以导致现在的格局：NMOS价格便宜，厂商多，型号多。

对于人类发展而言，肯定是从某个事物简单的的部分开始深入研究发展，教学也是相同的道理，从某个简单部分开始更能够让人入门了解一个事物，然后再步步深入。为什么介绍MOS管的文章都以NMOS举例？说白了就是NMOS相对 PMOS 来说：简单点。这个简单点，包括生产难度，实现成本，实现方式等等。

MOS管的导通条件 MOS管的开关条件： N沟道：导通时 Vg> Vs,Vgs> Vgs(th)时导通； P沟道：导通时 Vg< Vs,Vgs< Vgs(th)时导通。 MOS管导通条件：|Vgs| > |Vgs(th)|。

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AO4616、AO4724、AO4828、AO6601、AO6800、AO6800、AO7800、AOD240、AOD240、AOD403。

AP2310GN、AP2310N、AP2625GY、AP4407GM、AP4575GM、AP6906GH-HF、AP85U03GH-HF、AP9575AGH、AP9575GM、APM1403ASC-TRL。

在 MOS管中，半导体材料通常是硅。MOS管的基本原理是利用一个金属栅极、氧化物和半导体组成的结构来控制导体的电阻。

AM4902N-T1-PF、AO3402、AO3402、AO3414、AO3415、AO3416、AO3419、AO3421E、AO3460、AO4286 。

MOS电容的特性能被用来形成MOS管。其中一个称为source，另一个称为drain。Gate，电介质和backgate保持原样。在GATE的两边是两个额外的选择性掺杂的区域。

如果这个晶体管的GATE相对于BACKGATE正向偏置，电子就被吸引到表面，空穴就被排斥出表面。硅的表面就积累，没有channel形成。

文章来源：   www.bychip.cn