欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

bychip可替代FQPF30N06L

日期:2023-7-19类别:会员资讯 阅读:953 (来源:互联网)
公司:
深圳市百域芯科技有限公司
联系人:
郑佳妮
手机:
13043481413
电话:
0755-23616725
传真:
--
QQ:
2885648621
地址:
深圳市福田区华强北街道世纪汇都会轩4507

bychip可替代FQPF30N06L导读

场效应管属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。

mos管是金属(metal)-氧化物(oxide)-半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属-绝缘体(insulator)-半导体。


bychip可替代_FQPF30N06L


bychip可替代

VGS(th)(开启电压) 当外加栅极控制电压 VGS 超过 VGS(th) 时,漏区和源区的表面反型层形成了连接的沟道。此参数一般会随结温度的上升而有所降低。应用中,常将漏极短接条件下 ID 等于 1 毫安时的栅极电压称为开启电压。

PMOS的导通电阻大,发热大,相对NMOS来说不易通过大电流。我们通过原理分析可以得知,NMOS 是电子的移动,PMOS那就是空穴的移动,空穴的迁移率比电子低,尺寸与电压相等的条件下,PMOS的跨导小于 NMOS,形成空穴沟道比电子沟道更难。PMOS价格贵,厂商少,型号少。(相对而言,其实MOS管发展到现在,普通的应用 PMOS 和 NMOS 都有大量可方便选择的型号)。 PMOS的阈值电压教NMOS高,因此需要更高的驱动电压,充放电时间长,开关速度更低。所以导致现在的格局:NMOS价格便宜,厂商多,型号多。

VGS>VGS(th) ,且VDS < VGS - VGS(th),MOS管进入可变电阻区: 可变电阻区在输出特性的最左边,Id随着Vds的增加而上升,两者基本上是线性关系,所以可以看作是一个线性电阻,当VGS不同电阻的阻值就会不同,所以在该区MOS管相当就是一个由VGS控制的可变电阻。

P型衬底在 MOS管内部是和 源级(S)相连。


bychip可替代_FQPF30N06L


IRF540NSTRPBF

2SK2415-Z-E1-AZ、2SK3065、2SK3105-T1B-A、2SK3484-Z-E1-AZ、2SK4033、AM2308N-T1-PF、AM2394NE、AM30N10-70D-T1-PF、AM4424N-T1-PF、AM4599C-T1-PF。

MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是一种常用的半导体器件,广泛应用于各种电子设备中。MOS管是一种场效应管,其主要作用是在电路中实现信号放大、开关控制等功能。

APM2054NUC-TRL、APM2301CAC-TRL、APM2305AC、APM2701AC、APM2701ACC-TRG、APM3048ADU4、APM3095PUC-TRL、APM4015PUC-TRL、APM4435KC-TRL、APM4826KC-TRG。

FDMC8878、FDN304PZ-NL、FDN340P-NL、FDS4559-NL、FDS4953-NL、FDS6875-NL、FDS8926A-NL、FDS8926A-NL、FDS9933-NL、FDS9936A-NL。

bychip可替代_FQPF30N06L


只要GATE对BACKGATE的电压仍旧小于阈值电压,就不会形成channel。假设source 和backgate都接地,drain接正电压。

当电压差超过阈值电压时,channel就出现了。当GATE和BACKGATE之间的电压差小于阈值电压时,不会形成channel。


文章来源: www.bychip.cn




 复制成功!