SI4816BDY-T1-E3
发布日期：2023-09-21摘要：SI4816BDY-T1-E3 原装正品 现货库存
| 技术: | Si | |
| 安装风格: | SMD/SMT | |
| 封装 / 箱体: | SOIC-8 | |
| 晶体管极性: | N-Channel | |
| 通道数量: | 2 Channel | |
| Vds-漏源极击穿电压: | 30 V | |
| Id-连续漏极电流: | 6.8 A, 11.4 A | |
| Rds On-漏源导通电阻: | 11.5 mOhms, 18.5 mOhms | |
| Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V | |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | 1 V | |
| Qg-栅极电荷: | 7.8 nC, 11.6 nC | |
| 最小工作温度: | - 55 C | |
| 最大工作温度: | + 150 C | |
| Pd-功率耗散: | 1.4 W, 2.4 W | |
| 通道模式: | Enhancement | |
| 商标名: | TrenchFET | |
| 系列: | SI4 | |
| 封装: | Reel | |
| 封装: | Cut Tape | |
| 封装: | MouseReel | |
| 商标: | Vishay Semiconductors | |
| 配置: | Dual | |
| 下降时间: | 9 ns, 11 ns | |
| 正向跨导 - 最小值: | 30 S, 31 S | |
| 高度: | 1.75 mm | |
| 长度: | 4.9 mm | |
| 产品类型: | MOSFET | |
| 上升时间: | 9 ns, 9 ns | |
| 工厂包装数量: | 2500 | |
| 子类别: | MOSFETs | |
| 晶体管类型: | 2 N-Channel | |
| 典型关闭延迟时间: | 24 ns, 31 ns | |
| 典型接通延迟时间: | 11 ns, 13 ns | |
| 宽度: | 3.9 mm |
