ZTX853 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
发布日期：2023-10-08| 制造商: | Diodes Incorporated | |
| 产品种类: | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) | |
| RoHS: | 详细信息 | |
| 安装风格: | Through Hole | |
| 封装 / 箱体: | TO-92-3 | |
| 晶体管极性: | NPN | |
| 配置: | Single | |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO: | 100 V | |
| 集电极—基极电压 VCBO: | 200 V | |
| 发射极 - 基极电压 VEBO: | 6 V | |
| 集电极—射极饱和电压: | 160 mV | |
| 最大直流电集电极电流: | 4 A | |
| Pd-功率耗散: | 1.2 W | |
| 增益带宽产品fT: | 130 MHz | |
| 最小工作温度: | - 55 C | |
| 最大工作温度: | + 200 C | |
| 系列: | ZTX853 | |
| 封装: | Bulk | |
| 商标: | Diodes Incorporated | |
| 集电极连续电流: | 4 A | |
| 高度: | 4.01 mm | |
| 长度: | 4.77 mm | |
| 产品类型: | BJTs - Bipolar Transistors | |
| 工厂包装数量: | 4000 | |
| 子类别: | Transistors | |
| 技术: | Si | |
| 宽度: | 2.41 mm | |
| 单位重量: | 453.600 mg |
