IRGP4266D-EPBF

制造商: Infineon

产品种类: IGBT 晶体管

RoHS: 详细信息

技术: Si

封装 / 箱体: TO-247AD-3

安装风格: Through Hole

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V

集电极—射极饱和电压: 1.7 V

栅极/发射极最大电压: - 20 V, + 20 V

在25 C的连续集电极电流: 140 A

Pd-功率耗散: 455 W

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 175 C

封装: Tube

商标: Infineon Technologies

集电极最大连续电流 Ic: 140 A

栅极—射极漏泄电流: 100 nA

产品类型: IGBT Transistors

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子类别: IGBTs

零件号别名: SP001540782

单位重量: 6.500 g