高速光耦CD6N137I,CYT6N137/EL6N137
发布日期:2024-05-29摘要:EL6N137

长运通品牌完全自主研发技术,百分百纯国产,百分百替代进口芯片
10 MBit/s高速度/优越的共模抑制比/逻辑门输出/5kV高隔离电压,
封装SMD-8,正向电压1.4V,隔离电压5000Vrms,电流转换比/集电极输出电流50mA,共模抑制比10kV/μs,工作温度-55℃~125℃。
兼容型号EL6N137。
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