BSS84DW-7-F场效应管原装电子元器件一个起售 支持订货
发布日期:2024-09-06
产品属性 | 属性值 | |
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制造商: | Diodes Incorporated | |
产品种类: | MOSFET | |
RoHS: | 详细信息 | |
技术: | Si | |
安装风格: | SMD/SMT | |
封装 / 箱体: | SOT-363-6 | |
晶体管极性: | P-Channel | |
通道数量: | 2 Channel | |
Vds-漏源极击穿电压: | 50 V | |
Id-连续漏极电流: | 130 mA | |
Rds On-漏源导通电阻: | 10 Ohms | |
Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V | |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 800 mV | |
Qg-栅极电荷: | - | |
最小工作温度: | - 55 C | |
最大工作温度: | + 150 C | |
Pd-功率耗散: | 300 mW | |
通道模式: | Enhancement | |
系列: | BSS84 | |
封装: | Reel | |
封装: | Cut Tape | |
封装: | MouseReel | |
商标: | Diodes Incorporated | |
配置: | Dual | |
正向跨导 - 最小值: | 0.05 S | |
高度: | 1 mm | |
长度: | 2.2 mm | |
产品: | MOSFET Small Signals |