CCM90N4-C（低Vth）cloudchild 云潼40V MOS管 功率晶体管

CCM90N4-C（低Vth）cloudchild 云潼40V MOS管 功率晶体管

深圳市奥伟斯科技有限公司——CCM90N4-C（低Vth）cloudchild 云潼40V MOS管产品说明

在当今科技高速发展的时代，电子元件的性能和效率是各类设备能否正常运行的关键。深圳市奥伟斯科技有限公司作为电子产品领域的先锋，致力于为客户提供高性能的电子元件。今天，我们将着重介绍我们的明星产品——CCM90N4-C（低Vth）cloudchild 云潼40V MOS管。

产品概述

CCM90N4-C（低Vth）cloudchild 云潼40V MOS管是一款专为高效电源管理和开关应用设计的金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。其具有低阈值电压（Vth）特性，让其能够在较低的控制电压下工作，从而显著降低总体功耗，提高设备的能源利用率。该产品广泛用于消费电子、工业控制、电机驱动及电源转换等多个领域。

功能特点

1. 低阈值电压（Vth）:   CCM90N4-C的低阈值电压设计使得其在开启时所需的门电压更低，适合用于低电压驱动的场合，大幅降低了启动所需的额外能量消耗。

2. 高效能开关特性:   本MOS管具备出色的开关速度，具有较低的导通电阻（RDS(on)），确保在开关操作时能快速响应，这对于高频率及高速度应用至关重要。

3. 优越的热性能:   采用先进的芯片设计和封装材料，CCM90N4-C具备良好的热管理能力，能够在高温环境下稳定工作，有效延长了产品的使用寿命。

4. 广泛的工作电压范围:   该产品支持高达40V的工作电压，能够满足多种应用需求，适用范围广泛，适用于多种电源方案和电子设备。

5. 优良的价位比:   凭借其高性能和相对低廉的价格，CCM90N4-C MOS管为客户提供卓越的价值选择，符合市场对高性价比元器件的需求。

性能参数

在选择电子元件时，性能参数是不可忽视的重要因素。以下是CCM90N4-C（低Vth） cloudchild 云潼40V MOS管的详细性能参数：

- 源漏极电压（VDS）: 40V - 漏源电流（ID）: 90A - 导通电阻（RDS(on)）: 7.2 mΩ（典型值） - 阈值电压（Vth）: 1.0V至2.0V - 最大结温（TJ）: 150°C - 功耗（PD）: 45W - 开关时间（ton）: 25ns - 关断时间（toff）: 65ns - 封装类型: TO-220

这些参数使得CCM90N4-C不仅能在日常电子应用中表现优异，更能完全满足高性能电源管理需求的严格标准。其低RDS(on)值可显著减少在负载工作下的热量产生，从而提高系统的整体效率。

购买指南

MOB :江小姐 15323890608

深圳市奥伟斯科技有限公司

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