CCME100P04T cloudchild 云潼60V MOS管 功率晶体管

CCME100P04T Cloudchild 云潼60V MOS管 功率晶体管 产品介绍

在当今快速发展的科技时代，高效能的电子器件在各种应用场景中扮演着越来越重要的角色。作为一款先进的功率晶体管，深圳市奥伟斯科技有限公司推出的CCME100P04T Cloudchild 云潼60V MOS管，以其优异的性能和可靠性，成为电子产品设计和应用中的理想选择。

产品功能

CCME100P04T是一款高压N沟MOSFET，特别设计用于高效的电力转换和开关应用。其关键功能包括：

1. 高效能开关能力：CCME100P04T具有极低的开启电阻（RDS(on)），这意味着它在开启时的功耗极低，大幅提升了能量转换效率，适合用于高频开关电源、逆变器和电动汽车等场合。

2. 宽工作电压：该MOS管的额定工作电压为60V，能够在多种电力应用中广泛使用，无论是小型消费类电子设备还是大规模工业设备。

3. 高电流承载能力：CCME100P04T能够承受高达100A的持续电流，确保在高负载下也能稳定运行，满足各种工业和电源管理应用的需求。

4. 热性能优越：该生产管的热导性能良好，配合适当的散热设计，能够有效管理热量，延长产品的使用寿命。

5. 简化的驱动设计：CCME100P04T具有较低的门电压驱动要求，简化了设计过程，使得设计人员能够更快速和方便地集成到现有电路中。

性能参数

CCME100P04T Cloudchild 云潼60V MOS管的关键性能参数如下：

- 类型：N沟MOSFET - 最大漏极源极电压（VDS）：60V - 最大连续漏极电流（ID）：100A - 开启电阻（RDS(on)）：15mΩ（典型值） - 最大脉冲漏极电流（IDM）：200A - 最大功耗（PD）：150W - 工作温度范围：-55°C至+150°C - 封装类型：TO-220、DPAK等

以上参数显示了CCME100P04T在高压和高功率条件下的良好稳定性，确保其可以承受各类苛刻的工作环境，适合广泛的应用。

购买指南

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