CC2310 cloudchild 云潼低压MOS 功率半导体

CC2310 cloudchild 云潼低压MOS 功率半导体

• 电压参数

• 阈值电压（VGS (th)）：使漏极开始有电流或关断 MOSFET 时电流消失时的栅源电压，一般来说，云潼科技相关 VDMOS 专利可将阈值电压提升到 0.6V-0.8V，CC2310 有可能在此范围内。

• 电流参数

• 连续漏电流（ID）：芯片在最大额定结温 TJ (max) 下，管表面温度在 25℃或者更高温度时，允许通过的最大连续直流电流。

• 脉冲漏极电流（IDM）：能够承受的脉冲形式的最大漏极电流，体现了器件的抗冲击能力。

• 零栅压漏极电流（IDSS）：当栅源电压为零时，在特定的漏源电压下，漏源之间的泄漏电流，通常在室温和高温下都有规定。

• 电阻参数：导通电阻（RDS (on)），是在特定的漏电流、栅源电压和 25℃的条件下，漏源之间的电阻值，该值越小，导通时的损耗越小，器件性能越好。

• 电容参数

• 输入电容（Ciss）：由栅漏电容 Cgd 和栅源电容 Cgs 并联而成，即 Ciss = Cgs + Cgd，与 MOS 管的开启关闭时间密切相关。

• 输出电容（Coss）：由栅漏电容 Cgd 和漏源电容 Cds 并联而成，即 Coss = Cgd + Cds。

• 反向传输电容（Crss）：也叫米勒电容，对开关的上升和下降时间有重要影响，还会影响关断延时时间。

• 时间参数

• 导通延迟时间（Td (on)）：从有输入电压上升到 10% 开始，到 Vds 下降到其幅值 90% 的时间。

• 上升时间（Tr）：输出电压 VDS 从 90% 下降到其幅值 10% 的时间。

• 关断延迟时间（Td (off)）：输入电压下降到 90% 开始，到 VDS 上升到其关断电压时 10% 的时间。

• 下降时间（Tf）：输出电压 VDS 从 10% 上升到其幅值 90% 的时间。

MOB : 15323890608 江小姐（微信同号）

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