SQM120P10_10M1LGE3原装正品现货

制造商: Vishay

产品种类: MOSFET

RoHS:

REACH - SVHC:

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: D2PAK-3 (TO-263-3)

晶体管极性: P-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 120 A

Rds On-漏源导通电阻: 8.1 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V

Qg-栅极电荷: 190 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 375 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

商标名: TrenchFET

封装: Reel