SCM190R080NF 韩国AUK 大电流高电压平面MOSFET
发布日期:2025-06-10产品说明:SCM190R080NF 韩国AUK 大电流高电压平面MOSFET
产品概述
在当今电子技术日新月异的时代,选择合适的半导体器件成为各行各业设计和开发的关键。深圳市奥伟斯科技有限公司致力于为客户提供高品质的电子元件与解决方案,其中包括了来自韩国AUK的型号SCM190R080NF大电流高电压平面MOSFET。这款MOSFET设计用于高性能电源应用,能够满足各种工业和消费电子产品中的需求。
产品功能
SCM190R080NF MOSFET具有多个显著的功能,使其在高电流和高电压环境中表现出色。其主要功能包括:
1. 大电流承载能力:该MOSFET可承载高达190A的电流,使其非常适用于高功率应用,如电源转换器和电机驱动器。
2. 高电压耐受性:SCM190R080NF能够承受高达800V的电压,这意味着它可以应用于高压环境,如工业电源、太阳能逆变器等。
3. 低导通电阻:该器件的导通电阻极低,通常在数毫欧级别,这可以降低能源损耗,提高整体效率,尤其是在高频开关应用中。
4. 快速开关性能:产品设计考虑到了快速开关需求,能够快速开启和关闭,适合高频开关电源及各种高频应用。
5. 热稳定性强:SCM190R080NF具备优异的热管理性能,能够在高温环境下稳定工作,防止变形和性能下降,确保设备的可靠性。
性能参数
为了确保客户选用时的明确,它的技术参数无疑是评估的重点。以下是SCM190R080NF的主要性能参数:
- 最大漏极源极电压 (Vds): 800V - 最大连续漏极电流 (Id): 190A - 导通电阻 (Rds(on)): 0.07Ω(典型值) - 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 2V - 4V - 最大输入栅极电流 (Ig): ±20mA - 工作温度范围: -55℃ 至 150℃ - 封装类型: TO-220
这些参数表明SCM190R080NF特别适合高效率的电力电子转换、驱动高功率负载以及电压控制应用,广泛满足消费电子、通讯设备、电力系统等领域的需求。
购买指南
Leven Cai 蔡明柱
MOB : 13751188660
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