SCM190RO8ONF 韩国AUK 大电流高电压平面MOSFET

产品介绍：SCM190RO8ONF 韩国AUK 大电流高电压平面MOSFET

在当今快速发展的电子科技时代，MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）作为一种重要的功率器件，发挥着无可替代的作用。深圳市奥伟斯科技有限公司引入了最新的SCM190RO8ONF 韩国AUK 大电流高电压平面MOSFET，为各种电子应用提供强大的驱动和控制。这款MOSFET的卓越性能使其成为电源管理、电动驱动、通信设备及其他高功率电子设备的理想选择。

产品功能

SCM190RO8ONF 是一款专为大电流和高电压应用设计的平面MOSFET。其主要功能包括：

1. 高效率开关：该MOSFET具有较低的导通电阻（RDS(on)），使其在导通状态下损失极小，保证能量的高效传递。   2. 大电流承载能力：SCM190RO8ONF 能够承载高达190A的工作电流，使其非常适合需要大电流的应用场景，比如电源模块和电动汽车驱动。   3. 高电压耐受能力：此产品的耐压范围高达800V，能够满足各种高压应用的安全需求，是功率电路的优秀选择。

4. 快速开关速度：SCM190RO8ONF的快速开关特性有效减少了开关损耗，尤其适用于高频开关电源和其他需要快速响应的电路。

5. 便于散热设计：由于其出色的导热特性，使用此MOSFET可以有效降低系统的热量积聚，更容易设计出高效的散热方案。

性能参数

对任何一款电子产品，性能参数是判断其能力的重要依据。SCM190RO8ONF的关键性能参数如下：

- 最大漏极-源极电压 (VDS)：800V - 最大漏极电流 (ID)：190A - 导通电阻 (RDS(on))：约7.5mΩ（典型值） - 门极阈值电压 (VGS(th))：2V到4V - 输入电容 (Ciss)：> 3000pF（典型值） - 输出电容 (Coss)：> 2500pF（典型值） - 反向相容能力：可支持大电流反向供电，增强电路的稳定性。

这些参数表明，SCM190RO8ONF不仅能处理高电压，还能在极端条件下工作，是设计高效、可靠电源系统的理想选择。这款MOSFET已在运用过的各种设备中表现出色，无论是消费电子、工业设备还是电动汽车，都可见其身影。

购买指南

Leven Cai 蔡明柱

MOB : 13751188660

深圳市奥伟斯科技有限公司

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