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SCM260R080NF 韩国AUK 大电流高电压平面MOSFET

发布日期:2025-06-10类别:会员资讯 阅读:837

产品说明:SCM260R080NF 韩国AUK 大电流高电压平面MOSFET

欢迎您关注深圳市奥伟斯科技有限公司,我们致力于为您提供高品质电子产品,满足您的各种需求。今天,我们很高兴介绍一款特别的产品:SCM260R080NF 韩国AUK 大电流高电压平面MOSFET。

产品概述

SCM260R080NF 是由韩国 AUK 生产的一款高性能大电流、高电压的平面 MOSFET(场效应晶体管)。其卓越的技术规格和优越的工作性能使其成为广大电子产品开发者和工程师的首选。该 MOSFET 采用平面结构设计,拥有更高的可靠性和更强的散热能力,非常适合用于高电流和高电压的应用场景。

功能特点

1. 高电流承载能力:SCM260R080NF 能够处理高达 260 安的电流,使其适合用于各种需要大功率驱动的设备。这使得它在电源管理、自动化设备及高性能电动机控制等领域表现出色。

2. 宽电压范围:该 MOSFET 的最大耐压可达 80V,能够满足多种高电压应用的需求。无论是景观照明控制、太阳能逆变器,还是工业电源系统,都能轻松应对。

3. 低开关损耗:SCM260R080NF 采用先进的制造工艺,提供极低的开关阻抗。这意味着在开关操作时的能量损耗大幅降低,从而提高系统效率。

4. 优越的热管理: MOSFET 的热阻设计得当,使其在高负载工作时仍能保持较低的温升,极大延长了设备的使用寿命,并提高了系统的整体稳定性。

5. 强大的抗干扰能力:该产品内置多种保护机制,确保其在恶劣环境下依然能稳定工作,从而提升系统的安全性和可靠性。

性能参数

1. 电压和电流参数   - 最大漏极-源极电压 (VDS): 80V   - 最大漏极电流 (ID): 260A   - 门极-源极开关电压 (VGS): ±20V

2. 导通阻抗   - RDS(on): 8mΩ (最大值),在VGS=10V 和 ID=250A时测得,确保了超低的功耗损失。

3. 温度特性   - 最大工作温度: 150°C,确保可以在高温环境中稳定运行。

4. 封装规格   - 封装类型: TO-220,适合散热片安装,便于降低工作温度。

购买指南

Leven Cai 蔡明柱

MOB : 13751188660

深圳市奥伟斯科技有限公司

OWEIS ELECTRONICS Co., LIMITED.

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ADD:Rm701-703, Block A, Jiahe huaqiang Bldg., Shennan zhong Rd., Futian District, Shenzhen, Guangdong, China  518000

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