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SCMO36R065NW4 韩国AUK 大电流高电压平面MOSFET

发布日期:2025-06-18类别:会员资讯 阅读:810

产品介绍:SCMO36R065NW4 韩国AUK 大电流高电压平面MOSFET

欢迎来到深圳市奥伟斯科技有限公司的电子产品介绍!本公司作为一家专业的电子产品商城,致力于为客户提供高品质的电子元器件和周到的服务。今天,我们将重点介绍韩国AUK生产的SCMO36R065NW4大电流高电压平面MOSFET,为我们的客户提供关键的性能数据和购买指南。

一、产品功能

SCMO36R065NW4 MOSFET是当今市场上领先的高电压、大电流平面MOSFET之一,专为高效能电源与转换应用而设计。其主要功能包括:

1. 高电压承受能力:此器件可以承受高达65V的工作电压,适合多种电源管理和电机控制等应用场景,提供更稳定的操作环境。

2. 大电流输出:SCMO36R065NW4可以支持高达36A的持续电流,能够应对苛刻的负载条件,非常适合用于电源模块、电动机驱动及各类开关电源。

3. 优越的开关性能:该器件具有极低的导通电阻(RDS(on)),可有效减少功率损耗,提高整体系统的效率。这一特性使得其在高频开关操作时展现出色的性能。

4. 宽广的温度范围:产品的工作温度范围从-55℃到+150℃,确保在各种环境下均能稳定工作,适合工业、汽车及家电领域的应用。

5. 良好的热管理:SCMO36R065NW4采用现代化的封装设计,有助于高效散热,保持器件在安全温度范围内运行,避免因过热而导致的故障。

二、性能参数

以下是SCMO36R065NW4平面MOSFET的详细性能参数:

- 型号:SCMO36R065NW4 - 制造商:韩国AUK - 最大漏极-源极电压(VDS):65V - 最大连续漏极电流(ID):36A - 导通电阻(RDS(on)):最低可达到0.0065Ω - 输入电压范围(VGS):±20V - 开关时间(tr, tf):典型值为30ns(上升时间)和50ns(下降时间) - 散热参数:使用符合标准的散热器,具有良好的散热性能,保障长时间稳定工作。 - 封装类型:TO-220,方便安装和散热处理。

三、购买指南

深圳市奥伟斯科技有限公司

欧司朗销售:蔡明侨 13751186100

电话:0755-83221770 QQ:6638340

触摸芯片销售:蔡明柱 13751188660

电话0755-82544779 QQ:3003771981

址址:深圳市福田区深南中路3006号佳和华强大厦A座7楼701-703室

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