SUN82A25CI 韩国AUK 大电流高电压平面MOSFET

深圳市奥伟斯科技有限公司产品介绍：SUN82A25CI 韩国AUK 大电流高电压平面MOSFET

产品概述

在电子器件日益复杂和要求越来越高的今天，选择合适的半导体组件尤为重要。深圳市奥伟斯科技有限公司为此引入了韩国AUK生产的SUN82A25CI大电流高电压平面MOSFET。这款产品凭借其卓越的性能和广泛的应用范围，成为了行业内备受关注的优质选择。

产品功能

SUN82A25CI MOSFET设计用于高效率的电源开关和驱动电路。其极低的导通电阻和高耐压特性，使得它在高电流应用中表现优异。无论是在开关电源、逆变器、还是其他工业控制系统中，SUN82A25CI都能实现稳定可靠的性能。

1. 高电流承载能力：SUN82A25CI支持高达82A的持续电流，使其在诸如电源适配器和大型电机驱动器等应用中表现出色。

2. 高电压耐受：其最高耐压达到25V，能够有效抵御电压波动带来的风险，为后端电路提供了良好的保障。

3. 低导通电阻：SUN82A25CI的RDS(on)值极低，确保了在工作过程中发热量的减少，从而提高整体效率和可靠性。

4. 快速开关特性：该MOSFET具备较高的开关速度，能在极短的时间内完成从导通到截止的状态切换，适合高频率的应用市场。

5. 温度稳定性：SUN82A25CI在高温环境下依然保持良好的电气性能，适合各种苛刻环境下的使用需求。

性能参数

在高性能电子产品中，细致的参数往往决定了组件的优劣。SUN82A25CI的具体性能参数如下：

- 最大持续电流 (ID): 82A - 最大漏极-源极电压 (VDS): 25V - 最低导通电阻 (RDS(on)): 9mΩ（在VGS=10V时） - 门极阈值电压 (VGS(th)): 2-4V - 最大功耗 (PD): 50W - 工作温度范围: -55°C 至 +150°C - 封装类型: TO-220, DPAK，适合多种设计平台

这一系列的参数使得SUN82A25CI成为非常适合用于功率转换及电机控制的理想选择。此外，得益于其完善的散热设计，能够有效降低组件的工作温度，延长产品的使用寿命。

购买指南

深圳市奥伟斯科技有限公司

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