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SUN50A30CI 韩国AUK 大电流高电压平面MOSFET

发布日期:2025-07-04类别:会员资讯 阅读:907

产品说明:SUN50A30CI 韩国AUK 大电流高电压平面MOSFET

欢迎来到深圳市奥伟斯科技有限公司,这里是您电子产品的一站式商城。今天,我们要为您详细介绍一款优质的电子元件——SUN50A30CI 韩国AUK 大电流高电压平面MOSFET。这款产品以其出色的性能和高效的散热能力,成为市场上备受推崇的选择,能够满足各种高性能电子应用需求。

产品背景

在现代电子工程技术中,MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)作为一种重要的电子开关器件,广泛应用于电源管理、无线通信、汽车电子等各个领域。SUN50A30CI 作为韩国AUK开发的一款高电流、大功率MOSFET,具有较强的稳定性和高效能,能够在各种复杂的电路中稳定运行。

产品功能

SUN50A30CI MOSFET 具备以下几个主要功能:

1. 高电流承载能力:这款MOSFET最大连续电流可达50A,适用于高负载的应用场景,如大功率转换器和电机驱动系统。

2. 高电压支持:最大耐压可达到30V,使其在高电压环境下工作依旧稳定,适合用于高压电源和驱动电路。

3. 快速开关特性:在高频切换应用中,SUN50A30CI能够保持快速的开关响应时间,降低开关损耗,提高整体电路效率。

4. 低导通电阻:该型号MOSFET具有低Rds(on)的特性,使得在导通状态下能够减少热量产生,提高功率传输效率,降低能耗。

5. 优秀的散热性能:MOSFET的设计考虑到了散热效率,内部结构优化使其更容易散热,大幅延长了产品使用寿命。

6. 兼容性强:SUN50A30CI符合多种工业标准,便于与其他电子元件配合使用,适应不同的电路布局。

性能参数

在选购电子元件时,了解详细的性能参数是至关重要的。以下是SUN50A30CI的主要技术规格:

- 最大额定电压:30V - 最大额定电流:50A - 导通电阻(Rds(on)):20mΩ(在Vgs=10V时) - 最大功率耗散:94W - 工作温度范围:-55°C至+150°C - 封装类型:TO-220 - 开关频率:支持高达几十千赫兹的频率 - 门电压(Vgs):最大±20V

这些参数有助于设计工程师在设计电路时实现最佳的性能表现,确保设备的稳定性和安全性。

购买指南

深圳市奥伟斯科技有限公司

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