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XC95144XL-15TQ100C

在3DIC方面，iST研究出两种克服的方式，其一是利用研磨技术将3DIC微凸块(u-bump)失效区域定位，并搭配聚焦离子束显微镜(FIB)，将其失效微凸块切削进行断面观察；其二是扩大可观察的微凸块范围，从100微米(um)提升至3000微米，此两项技术亦可使用在3DIC的矽穿孔(TSV)结构观察。

而在IC电磁辐射消除的研究上，iST藉由传统与专利研发的新型FIB搭配，将任意电容值的电容放置于IC晶片上，并与IC内部的讯号节点作连结。藉此方法，客户不需重新投片，即可找到电磁辐射源头并加以消除，提供IC设计者一种CP值极高的IC EMI解决方案。

在「EOS脉冲波过电保护」上，iST藉由脉冲波模拟不同制程的IC上电，从其产生的过度电性应力(EOS)机制进行研究，在这当中，发现EOS耐受能力与脉冲时间存在「线性关系」，同时也发现IC制程本身闸氧崩溃与电压有关。从此测试，亦可提供客户简易方式，来对元件进行抗受力测试，亦可对于元件过电保护，提供一个有效参考指标。

北京显易科技有限公司

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