优势DDR2内存
日期：2013-12-13| DDR2 64Mx16 PC1066 CL7 | NT5TU64M16GG-BE | Nanya | 20000 @ |
| DDR2 32Mx16 PC1066 FBGA | H5PS5162GFR-G7C | Hynix | 50000 @ |
| DDR2 32Mx16 PC1066 | NT5TU32M16DG-BE | Nanya | 30000 @ |
| DDR2 128Mx16 PC800 Pb free | MT47H128M16RT-25E:C | Micron | 10000 @ |
| DDR2 128Mx16 PC800 Pb free Ind. Temp | MT47H128M16RT-25EIT:C | Micron | 1000 @ |
| DDR2 128Mx16 PC800 Pb free | MT47H128M16RT-187E:C | Micron | -- @ |
| DDR2 64Mx16 PC800 Pb Free | K4T1G164QF-BCF7 | Samsung | 9600 @ |
| DDR2 64Mx16 PC800 Pb Free | K4T1G164QF-BCE7 | Samsung | 20480 @ |
| DDR2 64Mx16 PC800 Pb Free | MT47H64M16HR-25E:H | Micron | 10000 @ |
| DDR2 64MX16 PC800 | MT47H64M16HW-25E:H | Micron | 10000 @ |
| DDR2 64MX16 PC800 Pb Free Ind Temp | MT47H64M16HR-25E IT:H | Micron | 10000 @ |
| DDR2 64Mx16 PC800 | H5PS1G63JFR-S5C | Hynix | 19200 @ |
| DDR2 64Mx16 PC800 | H5PS1G63JFR-S6C | Hynix | 20800 @ |
| DDR2 64Mx16 PC800 BGA | NT5TU64M16GG-AC | Nanya | 20000 @ |
| DDR2 32Mx16 PC800 | MT47H32M16HW-25E:G | Micron | 2000 @ |
| DDR2 32Mx16 PC800 FBGA | H5PS5162GFR-S5C | Hynix | 19200 @ |
| DDR2 32Mx16 PC800 FBGA | H5PS5162GFR-S6C | Hynix | 19200 @ |
| DDR2 32Mx16 PC800 lead free, halogen free | K4T51163QJ-BCF7 | Samsung | 10240 @ |
| DDR2 32Mx16 PC800 lead free, halogen free | K4T51163QJ-BCE7 | Samsung | 10000 @ |
| DDR2 32MX16 PC800 | U59C1512164QDJ25 | Promos | 18500 @ |
| DDR2 32Mx16 PC800 | MT47H32M16HR-25E:G | Micron | 4000 @ |
| DDR2 32Mx16 PC800 | MT47H32M16HR-25EIT:G | Micron | 5000 @ |
| DDR2 32Mx16 PC800 | MT47H32M16HW-25EIT:G | Micron | 8000 @ |
| DDR2 32Mx16 PC800 BGA | NT5TU32M16DG-AC | Nanya | 20000 @ |
| DDR2 32Mx16 PC800 BGA | NT5TU32M16DG-3CI | Nanya | 10000 @ |
| DDR2 16Mx16 PC800 | W9725G6JB-25 | Winbond | 20000 @ |
| DDR2 256Mx8 PC800 | MT47H256M8EB-25E:C | Micron | 10000 @ |
| DDR2 128Mx8 PC800 FBGA Halogen Free | EDE1108AFSE-8E-F | Elpida | 3630 @ |
| DDR2 128Mx8 PC800 | H5PS1G83JFR-S5C | Hynix | 19200 @ |
| DDR2 128Mx8 PC800 Lead Free | K4T1G084QF-BCF7 | Samsung | 10240 @ |
| DDR2 128Mx8 PC800 Lead Free | K4T1G084QF-BCE7 | Samsung | 20480 @ |
| DDR2 128Mx8 PC800 | H5PS1G83JFR-S6C | Hynix | 19200 @ |
| DDR2 128Mx8 PC800 | MT47H128M8CF-25:H | Micron | 10000 @ |
| DDR2 128Mx8 PC800 CL5 | MT47H128M8CF-25E:H | Micron | 6000 @ |
| DDR2 128Mx8 PC800 CL6 | HY5PS1G831CFP-S6-C | Hynix | 9600 @ |
| DDR2 128Mx8 PC800 | NT5TU128M8GE-AC | Nanya | 20000 @ |
| DDR2 64Mx8 PC800 | MT47H64M8CF-25EIT:G | Micron | 10000 @ |
| DDR2 64Mx8 PC800 | MT47H64M8CF-25E:G | Micron | 10000 @ |
| DDR2 64Mx8 PC800 | NT5TU64M8DE-AC | Nanya | 20000 @ |
| DDR2 128Mx16 PC667Pb free | MT47H128M16RT-3:C | Micron | 10000 @ |
| DDR2 64Mx16 PC667 | H5PS1G63EFR-Y5C-C | Hynix | 6000 @ |
| DDR2 64Mx16 PC667 BGA | NT5TU64M16GG-3C | Nanya | 20000 @ |
| DDR2 32Mx16 PC667 | NT5TU32M16CG-25C | Nanya | 10000 @ |
| DDR2 32Mx16 PC667 FBGA | H5PS5162GFR-Y5C | Hynix | 20160 @ |
| DDR2 32Mx16 PC667 | MT47H32M16HR-3:G | Micron | 5000 @ |
| DDR2 128Mx8 PC667 FBGA Ind. Temp | MT47H128M8CF-3IT:H | Micron | 4000 @ |
| DDR2 128Mx8 PC667 Lead Free, halogen free | K4T1G084QE-HCE6 | Samsung | 20480 @ |
| DDR2 128Mx8 PC667 FBGA | MT47H128M8CF-3:H | Micron | 20000 @ |
| DDR2 128Mx8 PC667 Lead Free | K4T1G084QF-BCE6 | Samsung | 20480 @ |
| DDR2 64Mx8 PC667 Lead Free, Halogen Free | K4T51083QJ-BCE6 | Samsung | 20480 @ |
| DDR2 128Mx4 PC667 60 FBGA | K4T51043QG-HCE6 | Samsung | 8000 @ |
| DDR2 64Mx16 PC667 | H5PS1G63JFR-Y5C | Hynix | 10000 @ |
| DDR2 64Mx16 PC667 | H5PS1G63JFR-Y5IR | Hynix | 4000 @ |
| DDR2 64Mx16 PC667 | MT47H64M16HR-3:H | Micron | 10000 @ |
| DDR2 128Mx8 PC800 Industrial Temp | NT5TU128M8GE-ACI | Nanya | 5000 @ |
| DDR2 64Mx16 PC667 Pb Free | K4T1G164QF-BCE6 | Samsung | 10240 @ |
| DDR2 32Mx16 PC667 lead free | K4T51163QJ-BCE6 | Samsung | 10240 @ |
| DDR2 64Mx16 PC667 Ind Temp | MT47H64M16HR-3IT:H | Micron | 5000 @ |
联系人：朱先生
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日前，VISHAY.html" target="_blank" title="VISHAY">VISHAY Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业界首款采用2.4mm x 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT®封装尺寸的-20V器件---Si8851EDB，扩展其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。Vishay SILICONIX Si8851EDB是为在移动计算设备中提高效率和节省空间而设计的，在-4.5V和-2.5V栅极驱动下分别具有8.0mΩ和11.0mΩ的极低导通电阻。
Si8851EDB把P沟道Gen III技术与MICRO FOOT的无封装CSP技术，以及30pin设计和引脚布局结合在一起，在给定的面积内提供了尽可能低的导通电阻。与最接近的2mm x 2mm x 0.8mm器件相比，Si8851EDB的高度薄50%，在4.5V栅极驱动下的导通电阻几乎只有一半，单位封装尺寸的导通电阻低37%。Si8851EDB的导通电阻接近3.3mm x 3.3mm x 0.8mm的MOSFET，外形尺寸小56%，单位封装尺寸的导通电阻低30%以上。
今天推出的器件高度只有0.4mm，适和在平板电脑、智能手机和笔记本电脑的电源管理应用中用作负载和电池开关。Si8851EDB的低导通电阻使设计者可以在其电路里实现更低的压降，从而更有效地使用电能并延长电池使用寿命，同时其小占位可节省宝贵的PCB空间。Si8851EDB的典型ESD保护达到6kV，有助于保护手持设备避免因静电放电而损坏，同时保证在生产过程能对零组件进行安全的加工处理。MOSFET符合JEDEC JS709A的无卤素规定，符合RoHS指令2011/65/EU。
Si8851EDB是Vishay的MICRO FOOT家族的最新成员，可以在http://www.vishay.com/mosfets/micro-foot-package/ 找到相关信息。有关该公司P沟道Gen III MOSFET的更多信息，请访问http://www.vishay.com/mosfets/geniii-p/。
Si8851EDB现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十二周到十六周。
VISHAY简介
Vishay Intertechnology， Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器、电容器）的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息