LED市场蓄势爆发 稀有金属镓和铟将受益

统计数据显示，2013年我国半导体照明产业整体规模达到了2576亿元，较2012年的1920亿元增长34%，成为2010年以后国内半导体照明产业发展速度较快的一年。其中上游外延芯片规模达到105亿元、中游封装规模达到403亿元，下游应用规模则突破2000亿元，达到2068亿元。2013年可以说LED行业回暖的一年，也是消耗产能的一年。专家认为2014年LED产业将走出产能过剩的问题，将重启设备投资并扩大产能。根据国际半导体设备与材料组织的季度预测报告，LED晶片制造设备的投资在经历连续下降之后，到明年将上升17%，达到12亿美元。

LED照明市场的快速发展，其中一方面是技术进步致使LED照明产品价格走低，从而促使市场接受度提高；另一方面近年来环境污染日益严重，LED照明产业作为我国重大节能减排项目，经过大力推广后室内照明市场逐打开，同时LED背光技术的应用逐渐广泛，实际市场需求真正走高。亚洲首富李嘉诚对LED节能灯的“钱景”也非常看好，今年初多伦多大学三位毕业生推出的纳米LED灯胆就获得了他的赏识和资助，而他尤其看好LED灯胆在中国市场的潜力。

LED照明需求的快速提升，给相关的稀有金属材料需求带来巨大机遇。LED的核心材料是镓（Ga）与砷（AS）、磷（P）、铟（In）的化合物制成的半导体芯片。目前，基于宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）和铟氮化稼（InGaN）的是最具有商业应用价值的LED灯材料之一。2013年，我国芯片产量增幅高达61%，其中GaN芯片的产量占比达65%，而以InGaAlP芯片为主的四元系芯片的产量占比为25%，GaAs等其他芯片占比为10%左右。如果2014年LED照明市场的增长率高达80%，那么半导体芯片的产量也会继续保持高速增长。

全球LED照明的快速发展，必将会带动镓和铟等半导体金属需求的快速增长，也会带动越来越多的企业和个人关注铟和镓等稀有金属。作为全球铟、镓等稀有金属交易量和库存量最大的现货交易所，泛亚有色金属交易所在稀有金属行业内的优势地位也会逐渐凸显。