供应射频功率MOSFET MRF8S18120HSR3 原装原厂订货

MRF8S18120HR3和MRF8S18120HSR3专为1805至1880 MHz频率范围的GSM和GSM EDGE基站应用而设计。可用于AB类和C类的所有典型蜂窝基站调制格式。

特性

• 典型GSM性能：V_DD = 28 V，I_DQ = 800 mA，连续波输出功率 = 72 W

  频率	Gps (dB)	ηD (%)
  1805 MHz	18.2	49.8
  1840 MHz	18.6	51.4
  1880 MHz	18.7	53.9

  
  

• 在32 Vdc，1840 MHz，150 W连续波输出功率(3 dB过驱额定输出功率)时，能承受7:1 VSWR

• 1 dB压缩点时，典型连续波输出功率 ≃ 120 W

• 典型GSM EDGE性能：V_DD = 28 V，I_DQ = 800 mA，平均输出功率 = 46 W

  频率	Gps (dB)	ηD (%)	SR1 @ 400 kHz (dBc)	SR2 @ 600 kHz (dBc)	EVM (% rms)
  1805 MHz	17.9	41.0	–64	–76	1.6
  1840 MHz	18.2	41.9	–63	–76	1.7
  1880 MHz	18.3	43.2	–61	–76	2.0

  
  

• 提供串联等效大信号阻抗参数和共源S参数

• 内部匹配，简便易用

• 集成的ESD保护

• 增大负栅源电压范围，改善C类放大器运行

• 为Doherty应用进行了优化

• 符合RoHS规范

• 采用盘卷包装。R3后缀 = 250个，56 mm卷带宽度，13英寸卷盘。

原厂原装订货库存，假一赔十！！！

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