CSD16409Q3

• 产品培训模块：NexFET MOSFET TECHNOLOGY
  视频文件：NexFET Power BlockPowerStack? Packaging Technology Overview
  标准包装：1
  类别：分离式半导体产品
  家庭：FET - 单
  系列：NexFET™
  FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  FET 特点：逻辑电平门
  漏极至源极电压(Vdss)：25V
  电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：60A
  开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：8.2 毫欧 @ 17A，10V
  Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.3V @ 250μA
  闸电荷(Qg) @ Vgs：5.6nC @ 4.5V
  输入电容 (Ciss) @ Vds：800pF @ 12.5V
  功率 - 最大：2.6W
  安装类型：表面贴装
  封装/外壳：8-TDFN 裸露焊盘
  供应商设备封装：8-SON
  包装：Digi-Reel?
  其它名称：296-24253-6

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