东芝闪存芯片memory代理商

日期：2015-5-24~~类别：会员资讯~~ 阅读：426 （来源：互联网）

公司:: 无锡海明威电子科技有限公司

联系人:: 许凯文

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东芝的NAND快闪存储器（NAND），具有集成控制器提供误差校正，损耗均衡，坏块管理等，他们有一个接口符合JEDEC/UFS Version.2.0，省去了用户执行的NAND特异性控制。

这简化了集成闪存存储到嵌入式应用。

容量产品型号UFS

版本最大。速度

（MB/ s）的电源电压工作

温度（℃）封装

VCC（V）的VCCQ（Ⅴ）VCCQ2（V）的

32 GByte的THGLF2G8C4KBADR*2.02.711663.61.1～1.31.70～1.95-25至85的

64 GByte的THGLF2G9C8KBADG* P-TFBGA153-

1984年东芝开发出了一种名为闪存的新型半导体存储器，从此率先于竞争对手引领着行业进入到了下一个全新的时代。

1987年以后东芝开发了NAND闪存，随后它便被广泛应用于各种存储卡和和电子设备中。NAND闪存市场不断地飞速发展，闪存日益成为了国际标准化的存储设备。东芝，作为闪存的发明者，已经开拓出一条通往新时代的康庄大道，届时无论我们走到哪里，都可以随身携带各种视频、音乐和数据资料。

东芝开发出世界上第一个48层BICS（三维层叠结构快闪记忆体）

东芝公司今天宣布推出世界上第一个48层的发展* 1三维堆叠单元结构闪存* 2名为BICS，2位每单元128千兆位（16千兆字节）的设备。采用新工艺技术的产品样品供货今天开始。

的BIC码是基于一个前沿48层堆叠的过程中，这提高写入的可靠性/擦除次数和提升写入速度，并适合于用在不同的应用中，主要是固态驱动器（SSD）。

由于制作工艺的世界上第一个宣布为3D闪存* 3，东芝继续朝着发展优化批量生产。为了进一步满足市场的增长在2016年及以后，东芝公司正积极通过推出一个产品组合，强调了大容量的应用程序，如SSD促进迁移到3D闪存。

TC58BVG1S3HBAI4 BENAND (Built-in ECC SLCNAND) 24 2G 2.7to 3.6 (2048+64) x 8 (128K+4K) x 8 -40 to 85 FBGA 63

TC58BVG1S3HBAI6 BENAND (Built-in ECC SLCNAND) 24 2G 2.7to 3.6 (2048+64) x 8 (128K+4K) x 8 -40 to 85 FBGA 67

TC58BVG1S3HTA00 BENAND (Built-in ECC SLCNAND) 24 2G 2.7to 3.6 (2048+64) x 8 (128K+4K) x 8 0 to 70 TSOP 48

TC58BVG1S3HTAI0 BENAND (Built-in ECC SLCNAND) 24 2G 2.7to 3.6 (2048+64) x 8 (128K+4K) x 8 -40 to 85 TSOP 48

TC58BYG1S3HBAI4 BENAND (Built-in ECC SLCNAND) 24 2G 1.7to 1.95 (2048+64) x 8 (128K+4K) x 8 -40 to 85 FBGA 63

TC58BYG1S3HBAI6 BENAND (Built-in ECC SLCNAND) 24 2G 1.7to 1.95 (2048+64) x 8 (128K+4K) x 8 -40 to 85 FBGA 67

该公司还准备推出大规模生产在四日市工厂，其生产基地NAND闪存新二厂。二厂正在建设和将在第一2016年上半年完成，以满足对闪存的需求不断增长。

东芝扩大符合e∙MMC™5.1版标准的嵌入式NAND闪存产品阵容

东芝公司旗下的半导体&存储产品公司今天宣布推出符合JEDEC（电子元件工业联合会） e∙MMC™ 版 5.1[1]标准、支持“command queuing”和“secure write protection”的嵌入式NAND闪存产品。新产品集成了采用15nm工艺技术制造的NAND芯片，广泛适用于各类数字消费产品，包括智能手机、平板电脑和可穿戴设备。16GB和64GB产品样品即日起出货，32GB和128GB产品将随后出货。

TH58BVG3S0HBAI4 BENAND (Built-in ECC SLCNAND) 24 8G(4Gx 2) 2.7 to 3.6 (4096+128) x 8 (256K+8K)x 8 -40 to 85 FBGA 63

TH58BVG3S0HBAI6 BENAND (Built-in ECC SLCNAND) 24 8G(4Gx 2) 2.7 to 3.6 (4096+128) x 8 (256K+8K)x 8 -40 to 85 FBGA 67

TH58BVG3S0HTA00 BENAND (Built-in ECC SLCNAND) 24 8G(4Gx 2) 2.7 to 3.6 (4096+128) x 8 (256K+8K)x 8 0 to 70 TSOP 48

TH58BVG3S0HTAI0 BENAND (Built-in ECC SLCNAND) 24 8G(4Gx 2) 2.7 to 3.6 (4096+128) x 8 (256K+8K)x 8 -40 to 85 TSOP 48

TH58BYG3S0HBAI4 BENAND (Built-in ECC SLCNAND) 24 8G(4Gx 2) 1.7 to 1.95 (4096+128) x 8 (256K+8K)x 8 -40 to 85 FBGA 63

TH58BYG3S0HBAI6 BENAND (Built-in ECC SLCNAND) 24 8G(4Gx 2) 1.7 to 1.95 (4096+128) x 8 (256K+8K)x 8 -40 to 85 FBGA 67

新产品在单一封装内集成了采用东芝尖端的15nm工艺技术制造的NAND芯片，该芯片带有一个用于管理NAND应用基本控制功能的控制器。2014年10月，东芝推出业界首款[2]工业级 e∙MMC™产品，该产品支持JEDEC于2015年2月24日正式发布的 JEDEC e∙MMC™ 5.1版要求具备的全部特性。该系列产品的新成员支持e∙MMCTM 5.1版的两种可选特性“command queuing”和“secure write protection”。

“commandqueuing”通过在等待序列中预先存储任务，使用户能够根据自己的优先级设置，处理由用户发出的多个指令生成的多任务。与不具备“command queuing”的东芝现有产品相比，该特性最多可将读取速度提高30%左右 [3] 。在智能手机和平板电脑等移动设备上执行多个应用时，该特性可有效提升用户体验。

“secure writeprotection特性”拓展了传统的写入保护特性，可保护用户存储在指定区域的重要数据，防止数据被未经验证的用户覆盖或擦除。

市场对于能够支持智能手机和平板电脑等应用的NAND闪存的需求持续增长。其中包括带有控制器的嵌入式存储器，这种存储器将开发要求降至最低，并降低了整合到系统设计之中的难度。东芝正在通过加强其高性能和高密度存储器产品的阵容来满足这种需求，并将继续在市场上占据领先地位。

新产品阵容

产品型号容量类别封装量产

THGBMHG7C2LBAIL 16GB 顶级 11.5×13×0.8mm2015年二季度（4-6月）

THGBMHG8C4LBAIR 32GB 11.5×13×1.0mm2015年二季度（4-6月）

THGBMHG9C8LBAIG 64GB 11.5×13×1.2mm2015年二季度（4-6月）

THGBMHT0C8LBAIG 128GB 11.5×13×1.2mm2015年二季度（4-6月）

*在东芝的e∙MMC™类别中，“顶级”（Supreme）代表适合高端级别应用的产品，“优质”（Premium）代表适合中低端级别应用的产品。

关键特性

符合JEDECe∙MMC™5.1版标准的接口用户处理基本功能，包括块写入管理、纠错和驱动软件。这种接口简化了系统开发，使制造商能够将开发成本降至最低，缩短新产品和升级产品的上市速度。新产品采用了JEDEC e∙MMCTM5.1版所规范的新特性[4]，例如BKOPScontrol、Cache Barrier、Cache Flushing Report和Large RPMB Write，以提高易用性。

通过应用JEDECe∙MMCTM 5.1版新推出的可选特性之一“commandqueuing”，随机读取性能可提高约30%（最大值）[3]。

嵌入系统内部的128GB产品可存储16.3小时的全高清视频，以及39.7 小时的标清视频[5]。

主要规格

接口 JEDEC e･MMC™ 5.1版标准

HS-MMC 接口

容量 16GB, 32GB, 64GB, 128GB

电源 2.7—3.6V（存储器核心）

1.7V-1.95V / 2.7V-3.6V（接口）

总线宽度×1 / ×4 / ×8

温度范围-25℃至+85℃

封装 153球细间距球栅阵列（FBGA）

11.5mm × 13.0mm

注

[1] e∙MMC™ 是一种适用于根据JEDEC e∙MMC™ 标准规范制造的一类嵌入式存储器产品的产品类别，是JEDEC固态技术协会的商标。最新的JEDECe･MMC™ 5.1版规范由JEDEC在2015年2月24日正式发布。

[2] 截至2014年10月。东芝调查。

[3] 东芝调查。

[4] “BKOPScontrol”是主机允许设备在闲置期间进行后台操作的功能。“缓存屏障”功能可控制缓存数据何时写入存储器芯片。“缓存刷新报告”功能用于告知主控设备的刷新策略是否为FIFO（先入先出）。“LargeRPMB Write”功能可将能够写入RPMB区域的数据大小扩大到8KB。

[5] HD（高清）和SD（标清）分别以17Mbps和7Mbps的比特率均值来计算。

*产品是基于其内部芯片数量来标记的容量，而不是终端用户用于数据存储的可用存储容量。部分容量留作记忆卡功能使用。请参考规格书或咨询当地的东芝销售代表。

（就本文的存储容量计算方式，1GB= 1,073,741,824bytes。）

*读写速度计算方式为1MB/s = 1,000,000byte/s。

东芝推出世界首款NFC功能SDHC存储卡

2015年1月6日

NFC Built-in SDHC MEMORY Card

安装有“存储卡预览”应用程序的智能手机可帮助你查看卡内的存储内容

东京–东芝公司（东京：6502）半导体&存储产品公司今天宣布，将推出世界首个[1]具有内置NFC（近距离无线通信）功能的SDHC存储卡。8GB、16GB和32GB[2] 卡的销售，将于2015年2月开始。全新卡片的功能将于1月6日至1月9日在美国拉斯维加斯举行的2015国际消费电子展览上进行展示。

通常需要将SD存储卡插入电脑或数码相机中以查看其中存储的内容。该新产品采用了NFC技术的特点，即通过简单的接触进行数据交换。只需要将启用了NFC功能的AndroidTM 智能手机（其中安装有“存储卡预览”[3] 应用程序）靠近存储卡，就可以预览卡中的可用存储空间，以及存储于卡中的最多16张照片的缩略图。

主要规格

系列名称 NFC内置SDHC存储卡

器件型号 THNNF008GDA-B（8GB）

THNNF016GDA-B（16GB）

THNNF032GDA-B（32GB）

容量 8GB / 16GB / 32GB

接口 SD接口UHS-I

速度等级

UHS速度等级：UHS速度等级1

SD速度等级：Class10

NFC标准符合NFC论坛第3类标签

射频 13.56MHZ

智能手机要求启用NFC功能的Android™智能手机

（Android4.0-4.4）

电源电压 2.7-3.6V

符合标准 SD存储卡标准

外部尺寸32.0mm（L）×24.0mm（W）×2.1mm（T）

重量约2g

使用环境

与兼容SDXC / SDHC且支持在卡上显示存储卡容量的设备一起使用。

符合SD存储卡标准对于超高速接口的全新UHS-I规范。UHS-I模式只能用于支持UHS-I的设备。

温度：-25～85℃

湿度：30～80%RH（无冷凝）

注：

[1]截止于2015年1月6日的东芝调查。

[2]本产品的标识是基于其所含的存储芯片，而不是最终用户存储数据可用的实际存储容量。部分容量留作产品功能使用。对于8GB产品，用户可用的最低存储容量约为7.2GB，对于16GB产品约为14.4GB，对于32GB产品约为28.8GB。

（本文中按照1GB=1,073,741,824字节计算存储容量。）

[3]智能手机应用程序“存储卡预览”将与本新产品启动销售的同时于Google Play™商店免费提供。

存储卡接口: e･MMC

e·MMC™是一系列NAND闪存产品，拥有如ECC，损耗均衡和坏块管理等功能。该系列产品还提供符合JEDEC/MMCA4.41/4.5版本的高速存储卡接口，用户无需担心直接控制NAND闪存。因此，e·MMC™易于被用作嵌入式多媒体卡（MMC）存储器。

容量器件型号种类 e·MMC

版本最大值.速度

（MHz）电源电压工作

温度（°C）封装

VCC （V） VCCQ （V）

4 GB THGBM5G5A1JBAIR Premium 4.41α 200 2.7to 3.6 1.70 to 1.95,

2.7 to 3.6 -25to 85 P-VFBGA153-

1113-0.50-002

THGBMAG5A1JBAIR* 4.5

THGBM5G5A1JBAIT* 4.41α P-WFBGA153-

1110-0.50-001

THGBMAG5A1JBAIT* 4.5

THGBMAG5A1JBAWR** I-Ver. -40to 85 P-VFBGA153-

1113-0.50-002

8 GB THGBM5G6A2JBAIR Premium 4.41α -25 to 85

THGBMAG6A2JBAIR* 4.5

THGBMAG6A2JBAWR** I-Ver. -40to 85

16 GB THGBM5G7A2JBAIR* Premium 4.41α -25 to 85

THGBMAG7A2JBAIR* 4.5

THGBM5G7B2JBAIM Supreme 4.41α P-VFBGA169-

1216-0.50-001

THGBMAG7B2JBAIM* 4.5

THGBMAG7B2JBAWM** I-Ver. -40 to 85

32 GB THGBM7G8T4JBAIR* Prime -25 to 85 P-VFBGA153-

1113-0.50-002

THGBM5G8A4JBAIR* Premium 4.41α

THGBMAG8A4JBA4R* 4.5

THGBM5G8B4JBAIM Supreme 4.41α P-VFBGA169-

1216-0.50-001

THGBMAG8B4JBAIM* 4.5

64 GB THGBM7G9T8JBAIG* Prime P-TFBGA153-

1113-0.50B4

THGBM5G9A8JBAIG* Premium 4.41α

THGBMAG9A8JBA4G* 4.5

THGBM5G9B8JBAIE Supreme 4.41α P-TFBGA169-

1216-0.50A4

THGBMAG9B8JBAIE* 4.5

SmartNAND™产品增加了纠错码（ECC）和其他功能，NAND闪存接口和物理地址的访问保持不变。因此，主控制器端不需要再随着NAND闪存不断减小的制程工艺而一直提高自身的ECC能力。虽然主机控制器端仍需管理通通常的块管理和损耗均衡，但是SmartNAND™消除了在控制器开发时由于要处理ECC而带来的大量负担。借助SmartNAND™解决方案，现有的主控端的（NAND）控制器可以使用最先进NAND闪存。另一方面，新的主机控制器在使用Legacy（SDR）接口外，更可以使用至ggle DDR1.0以实现更快的速度性能。

NAND_IF_SNAND_e_1

NAND管理如损耗均衡和坏块管理等需由主机端负责。需要块擦除（和原始NAND一样）。

容量器件型号 DQ

接口页大小

（Byte） /CE信号 &

Ready/Busy信号电源电压工作温度

（℃）封装

VCC（V） VCCQ（V）

4 GByte THGBR2G5D1JTA00 Legacy(SDR) 16K 1 & 1 2.7至3.6 2.7至3.6 ,

1.7至1.95 0至70 （备注） 48pin TSOP

8 GByte THGBR2G6D1JTA00 Legacy(SDR) 16K 1 & 1 2.7至3.6 2.7至3.6 ,

1.7至1.95 0至70 （备注） 48pin TSOP

THGBR2G6D1JBA01 Legacy(SDR) 16K 1 & 1 2.7至3.6 2.7至3.6 ,