供应FQP13N10

制造商:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR

产品种类:MOSFET

RoHS:符合RoHS 详细信息

Id-连续漏极电流:12.8 A

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Rds On-漏源导通电阻:180 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :25 V

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:65 W

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

封装:Tube

商标:Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:SINGLE

下降时间:25 ns

正向跨导 - 最小值:6.8 S

最小工作温度:- 55 C

上升时间:55 ns

系列:FQP13N10

工厂包装数量:50

典型关闭延迟时间:20 ns

单位重量:1.800 g