供应IXFK73N30
日期:2015-8-26制造商:IXYS
产品种类:MOSFET
RoHS:符合RoHS 详细信息
商标:IXYS
Id-连续漏极电流:73 A
Vds-漏源极击穿电压:300 V
Rds On-漏源导通电阻:45 mOhms
晶体管极性:N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 :20 V
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:500 W
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-264-3
封装:Tube
通道模式:Enhancement
配置:SINGLE
下降时间:50 ns
正向跨导 - 最小值:50 S
最小工作温度:- 55 C
上升时间:80 ns
系列:IXFK73N30
工厂包装数量:25
商标名:HiPerFET
典型关闭延迟时间:100 ns
单位重量:10 g