RU30120S
发布日期:2016-10-18RU30120S,全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取.原厂直供代理销售现货供应RUICHIPS全系列产品.照片是我们的产品实拍,因产品过多 原因我们未对一一产品进行参数描述,如需了解更多产品信息和价格欢迎咨询和购请联系我们的 工作人员 电话:零七五五---八二七三二二九一/零七五五---八五二七四六六二 ,QQ:一一七四零五二三五三/一八五二三四六九零六 QQ:1755232575 /QQ:1157611585 电话: 0755-82732291/0755-85274662.
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Ruichips是一家专注从事功率半导体研发、生产、销售的高新技术企业,在适配器快充、移动快充、车充、电机控制、新能源、逆变、锂电保护等应用领域均占有领先地位,RUICHIPS致力于新产品研发,持续更新/优化新工艺、新技术,现有Trench MOSFET/SGT MOSFET/Super Junction MOSFET三大类产品线、数百种型号,累计获得国家发明专利18项,尤其是RUICHIPS独创的TO-220内绝缘封装技术,彻底解决了终端客户在散热和装配上的技术难点。
MOS管,是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。G:gate 栅极;S:source 源极;D:drain 漏极。MOS管的source(源极)和drain(耗尽层)是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
场效应管分为PMOS管和NMOS管,属于绝缘栅场效应管。
PMOS是指n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管。全称 : positive channel Metal Oxide Semiconductor;别名 : positive MOS。
金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区,分别叫做源极和漏极,两极之间不通导,源极上加有足够的正电压(栅极接地)时,栅极下的N型硅表面呈现P型反型层,成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的空穴密度,从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道,加上适当的偏压,可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。
P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下,PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外,P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般偏高,要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性,与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。PMOS因逻辑摆幅大,充电放电过程长,加之器件跨导小,所以工作速度更低,在NMOS电路(见N沟道金属—氧化物—半导体集成电路)出现之后,多数已为NMOS电路所取代。只是,因PMOS电路工艺简单,价格便宜,有些中规模和小规模数字控制电路仍采用PMOS电路技术。
MOSFET共有三个脚,一般为G、D、S,通过G、S间加控制信号时可以改变D、S间的导通和截止。PMOS和NMOS在结构上完全相像,所不同的是衬底和源漏的掺杂类型。简单地说,NMOS是在P型硅的衬底上,通过选择掺杂形成N型的掺杂区,作为NMOS的源漏区;PMOS是在N型硅的衬底上,通过选择掺杂形成P型的掺杂区,作为PMOS的源漏区。两块源漏掺杂区之间的距离称为沟道长度L,而垂直于沟道长度的有效源漏区尺寸称为沟道宽度W。对于这种简单的结构,器件源漏是完全对称的,只有在应用中根据源漏电流的流向才能最后确认具体的源和漏。
PMOS的工作原理与NMOS相类似。因为PMOS是N型硅衬底,其中的多数载流子是电子,少数载流子是空穴,源漏区的掺杂类型是P型,所以,PMOS的工作条件是在栅上相对于源极施加负电压,亦即在PMOS的栅上施加的是负电荷电子,而在衬底感应的是可运动的正电荷空穴和带固定正电荷的耗尽层,不考虑二氧化硅中存在的电荷的影响,衬底中感应的正电荷数量就等于PMOS栅上的负电荷的数量。当达到强反型时,在相对于源端为负的漏源电压的作用下,源端的正电荷空穴经过导通的P型沟道到达漏端,形成从源到漏的源漏电流。同样地,VGS越负(绝对值越大),沟道的导通电阻越小,电流的数值越大。
与NMOS一样,导通的PMOS的工作区域也分为非饱和区,临界饱和点和饱和区。当然,不论NMOS还是PMOS,当未形成反型沟道时,都处于截止区,其电压条件是:
VGS
|VGS|>|VTP (PMOS)|,
值得注意的是,PMOS的VGS和VTP都是负值。
PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。PMOS集成电路采用-24V电压供电。
MOS场效应晶体管具有很高的输入阻抗,在电路中便于直接耦合,容易制成规模大的集成电路 [1] 。
各种场效应管特性比较编辑
在2004年12月的国际电子器件会议(IEDM)上表示:双应力衬垫(DSL)方法导致NMOS和PMOS中的有效驱动电流分别增加15%和32%,饱和驱动电流分别增加11%和20%。PMOS的空穴迁移率在不使用SiGe的情况下可以提高60%,这已经成为其他应变硅研究的焦点。
PMOs即periodic mesoporous organosilicas,介孔硅基有机-无机杂化材料。它是一种分子水平上有机组分与无机组分在孔壁中杂化的材料,这类材料有着许多独特的性质:有机官能团均匀分布在孔壁中且不堵塞孔道,有利于客体分子的引入和扩散;骨架中的有机官能团可以在一定程度L调节材料的物化性质,如机械性能,亲/疏水性;可以同时实现对孔道和孔壁功能性的调变.正因如此,0755-82732291,PMOs已成为当今材料科学领域的一个研究热点。
上世纪90年代初以M41S(Mobile composite of matter)及FSM(folded sheets mesoporous materi-al)为代表的有序介孔氧化硅材料的报道掀起了介孔材料的合成和应用研究的热潮。一方面,有序介孔材料的出现突破了微孔材料(如沸石)的孔径限制,可以在有机大分子、生物大分子的固载、催化转化等领域中得到应用;另一方面,介孔材料中不同取向、不同尺寸及不同连通度的孔道作为理想的纳米反应器,可以用来组装和限域金属配合物及生物大分子,定向合成纳米粒子等.最初的介孔材料的孔壁组成为氧化硅,为了拓展其在不同领域的应用,研究者们致力于扩展其孔壁组成的研究,包括杂原子掺杂介孔氧化硅,介孔金属氧化物、金属、硫化物、碳、聚合物等,以及对介孔氧化硅进行有机修饰怛¨.其中有机修饰是扩展其应用的最为便捷也最为灵活的途径之一。对于有机官能化的介孑L氧化硅材料主要分为表面结合型及桥键型有机一无机介孔材料两种。表面结合型有机一无机介孔材料可以通过后嫁接或共缩聚两种方式将有机基团引入到介孔材料的孔道中。引入的有机基团还可以通过进一步的化学反应衍生出新的活性中心。表面结合型有机一无机介孔材料的活性位比较容易接近,可选的有机基团种类也相对较多。但这种方法合成的材料存在有机基团分布不均匀,占用孔道空间降低孔容等缺点。桥键型有机一无机介孔材料,简称PMOs(Periodic Mesoporous Organosilicas),是指有机基团存在于材料的孔壁结构中的有机一无机介孔材料 [2] 。
安全操作系统编辑
基于YunOS深度定制的PMOS专用移动操作系统。
在反向保护电路中的应用编辑
反向保护电路中用到PMOS,不用使用二极管是压降更小耗散无用功更少。别看有一个寄生正向二极管,但它完全没有用处。在电路正常通电时,GATE接在远低于D端的0电位上,此PMOS是完全导通的。反接电源时GATE的电位又远高于S端,PMOS完全截止 [3] 。
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QQ:一一七四零五二三五三/一八五二三四六九零六
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RUICHIPS代理0755-82732291/85274662 提供原厂技术支持,长期现货价格优势稳定供应锐骏全系列MOSFET、IC、开关稳压管,欢迎各大厂家商家来人来电来函合作洽谈。
RU30D40M DFN5060
RU3040M2 DFN3333
RU3041M2 DFN3333
RU30E41M2 DFN3333
RU30J41M DFN5060
RU30J51M DFN5060
RU30D5C6 SOT23-6
RU3060L TO-252
RU3060K TO-251
RUICHIPS专业从事功率集成电路、功率器件系列的设计及半导体微电子相关产品的研发;生产规模不断扩大,产品涵盖了MOSFET、IC、开关稳压管等。
我们的大电流,大功率,超低阻抗,超快速开关MOS ,拟填补国内空白,在其他产业也都有广泛的应用(如:电源,UPS,SMPS,Battery,逆变器,功放,各类消费类电子)。
公司也积极的部署IGBT /CMOS产品的研发,在电源管理芯片方面已流片成功CMOS 工艺为制程的16路恒流源,最小线宽0.35UM,以及各类开关稳压管、各种低压差线性稳压器。产品具备高驱动能力、集成度高、体积小而且环保节能的优点,主要应用于LED驱动,未来还将在AC-DC、DC-DC方面加大研发力,提供一个具有成本效益的新一代大功率大电流MOSFET,同时也为客户提供定制的系统设计。依托于持之以恒的研发投入,RUICHIPS一直在稳定、持续、快速的发展,为客户提供优质、创新、低成本的集成电路产品和应用系统。
我司全线销售RUICHIPS全系列产品:RU1088R RU2560L RU3020H RU3060L RU3568L RU30160R RU4068L RU4099R RU4099Q RU40220R RU40280R RU3582R RU35122R RU40120R RU40150R RU3520R RU3560L RU6055R RU6055L RU6099R RU6199R RU60100R RU60200R RU6888R RU7088R RU70100R RU70200R RU75N08R RU75N08S RU7550R RU7588R RU8048R RU190N08R RU190B08Q RU80100R RU80190R RU8099R RU190N10Q RU190N10R RU1088R RU3710R RU140N10R RU1H80R RU1H190R RU1H100R RU1H35R RU1H35L RU80N15R RU80N15Q RU120N15R RU2H50Q RU6H10R RU6H10P RU30P5H RU40P4H RU30L15H RU40L10H RU30D8H RU30S5H RU40SS4H RU1HC2H RU1HC2H
RU40150 TO-220 TO-263 替代 IRL1404
锐骏半导体代理商深圳市晨豪科技0755-82732291/85274662
RU40190R TO-220 替代 IRF1404Z ruichips代理商深圳市晨豪科技0755-82732291/85274662
RU40230 TO-220 TO-263 替代 IRF2204 晨豪科技 提供原厂技术支持
RU55110R TO-220 替代 IRF3205 锐骏半导体代理商深圳市晨豪科技0755-82732291/85274662
RU60E5H SOP8 替代 AO4440 AP9971
RU60D5H SOP8 替代 AO4828 AO4946 APM4946 晨豪科技 提供原厂技术支持
RU60E16 TO-220 TO-252 替代 STP16NF06
RU60E25L TO-252 替代 STP20NF06 ruichips代理商深圳市晨豪科技0755-82732291/85274662
RU60E25R TO-220 替代 STP20NF06 晨豪科技 提供原厂技术支持
RU6050 TO-220 TO-252 TO-263 替代 IRFR3806 IRFZ44 STP50N06
RU6055 TO-220 TO-252 TO-263 替代 STB60NF06
RU6070L TO-252 替代IRFR1018E 锐骏半导体代理商深圳市晨豪科技0755-82732291/85274662
RU6075R TO-220 替代IRF1010E 晨豪科技 提供原厂技术支持
RU6099R TO-220 替代IRFB4215 ruichips代理商深圳市晨豪科技0755-82732291/85274662
RU60100R TO-220 替代IRFB3306 晨豪科技 提供原厂技术支持
RU60190R TO-220 替代 IRFB3306
RU60200R TO-220 替代 IRFB3206 锐骏半导体代理商深圳市晨豪科技0755-82732291/85274662
RU65110R TO-220 替代 STP80NF70
RU65120R TO-220 替代 IRFB4215 晨豪科技 提供原厂技术支持
RU6888M DFN5X6 替代 Si7164DP ruichips代理商深圳市晨豪科技0755-82732291/85274662
RU6888 TO-220 TO-263 替代 STP80NF70
RU7088R TO-220 替代STP80NF70 晨豪科技 提供原厂技术支持
RU7570L TO-252 替代 IRFR2307Z 锐骏半导体代理商深圳市晨豪科技0755-82732291/85274662
RU75N08 TO-220 TO-263 替代STP75NF75
RU7588R TO-220 替代 IRFB3607
RU75110R TO-220 替代 IRFB3307Z
RU75260Q TO-247 替代 IRFP3077 ruichips代理商深圳市晨豪科技0755-82732291/85274662
RU80488 TO-220 TO-263替代 PHP29N08T 晨豪科技 提供原厂技术支持
RU190N08 TO-220 TO-247 TO-263 替代 FDP039N08B
RU1HE4H SOP8 替代 AO4486 锐骏半导体代理商深圳市晨豪科技0755-82732291/85274662
RU1HE12L TO-252 替代 AOD478
RU1HE16L TO-252 替代 IRF540N 晨豪科技 提供原厂技术支持
RU1H3540 TO-220 TO-247 TO-252 TO-263 替代 IRF540N IRF540NS AOD4126
RU3710 TO-220 TO-263 替代 IRF3710 ruichips代理商深圳市晨豪科技0755-82732291/85274662
RU1H60R TO-220 替代IRFB59N10D
RU1H80R TO-220 替代 AOT418L
RU1H130R TO-220 替代 IRFP4310 锐骏半导体代理商深圳市晨豪科技0755-82732291/85274662
RU140N10R TO-220 替代 IRFS4010 晨豪科技 提供原厂技术支持
RU190N10 TO-220 TO-247 TO-263替代 IRFB4310 IRFP4310
RU80N15 TO-220 TO-247 替代 IRFB4321 IRFP4321
RU120N15 TO-220 TO-247 替代 STN1NF20 IRFP4321
RU2HE5L TO-252替代 IRF640L ruichips代理商深圳市晨豪科技0755-82732291/85274662
RU2H30Q TO-247替代 IRFB260N
RU2H50 TO-220 TO-263 TO-247 替代 IRFS38N20D
RU4H10 TO-220 TO-220F 替代 IRF740 锐骏半导体代理商深圳市晨豪科技0755-82732291/85274662
RU5H5L TO-252 替代 SMPSI RF830 晨豪科技 提供原厂技术支持
RU5H8 TO-220 TO-220F 替代 IRF840 ruichips代理商深圳市晨豪科技0755-82732291/85274662
RU5H18Q TO-247 替代 STW20NK50Z
RU6H2R TO-220 替代 2N60
锐骏代理商深圳市晨豪科技,ruichips代理商深圳市晨豪科技,锐骏半导体代理商深圳市晨豪科技,ruichips代理深圳市晨豪科技, 锐骏代理深圳市晨豪科技,锐骏半导体专业从事功率集成电路、功率器件系列的设计及半导体微电子相关产品的研发;生产产品涵盖了MOSFET、IC、开关稳压管等。锐骏半导体代理商深圳市晨豪科技,ruichips代理深圳市晨豪科技0755-82732291/0755-85274662 提供原厂技术支持,长期现货价格优势稳定供应锐骏全系列MOSFET、IC、开关稳压管。
RU1HL13K 锐骏代理商深圳市晨豪科技 0755-82732291/85274662
RU1HL13R RU1HP55R RU1HP60R RU1HL13L RU1HL8L RU55L18L
RU60P60R RU40P3C RU40S4H RU40L10H RU40P4H RU40L10L RU30L15H RU30S5H RU30P5D RU30P3B RU30P5H RU30L30M RU30P4C6 RU30P4H RU30P4C RU30P4B RU20P18L RU20P4C RU20P3B
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锐骏代理商深圳市晨豪科技,ruichips代理商深圳市晨豪科技,锐骏半导体代理商深圳市晨豪科技,ruichips代理深圳市晨豪科技, 锐骏代理深圳市晨豪科技,锐骏半导体专业从事功率集成电路、功率器件系列的设计及半导体微电子相关产品的研发;生产产品涵盖了MOSFET、IC、开关稳压管等。锐骏半导体代理商深圳市晨豪科技,ruichips代理深圳市晨豪科技0755-82732291/0755-85274662 提供原厂技术支持,长期现货价格优势稳定供应锐骏全系列MOSFET、IC、开关稳压管,欢迎各大厂家商家来人来电来函合作洽谈。
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