RA55H3340M RA13H3340M RA07H0608M
日期：2018-9-18摘要：RA55H3340M RA13H3340M RA07H0608M
一：RA55H3340M是55-watt RF的MOSFET放大器模块12.5-volt移动电台在向工作在330-400-MHz范围.电池可以直接连接到漏极增强型MOSFET晶体管.如果没有门电压(VGG进入=0V),只有一小漏电流漏极和RF衰减输入信号的60 dB.输出功率和漏电流增加门极电压增加.与周围4V栅极电压（***小），输出功率和漏电流大幅增加.标称输出功率变在4.5V（典型值），5V可用（）.在VGG=5V,的典型栅极电流1 mA.该模块是专为非线性调频调制，但也可能是线性调制使用设置排水静态电流与栅极电压和控制输出功率与输入功率.
特征
•增强型MOSFET晶体管(IDD≅0@ VDD=12.5V, VGG=0V)
• Pout>55W,ηT>35% @ VDD=12.5V, VGG=5V, Pin=50mW
•宽带频率范围：330-400MHz
•低功耗控制电流IGG=1mA (typ)在VGG=5V
•模块尺寸：66 x 21 x 9.88 mm
•线性操作有可能通过设置静态漏电流随栅极电压和输出功率控制与输入功率.
二：RA13H3340M是13-watt RF的MOSFET放大器模块for 12.5-volt，在330-经营移动收音机400-MHz范围.电池可以直接连接到漏极增强型MOSFET晶体管.如果没有门电压(VGG进排水=0V),只是一个很小的泄漏电流与输入信号衰减的RF高达60 dB.输出功率作为栅极和漏极电压增加电流增加.随着gate voltage around 4V (minimum), output power and drain current大幅增加.额定输出功率变为可在4.5V（典型值）和5V（）.在VGG=5V,典型栅极电流1 mA.该模块是专为非线性调频调制，但可能也可用于线性调制通过设置静态漏电流随栅极电压和输出功率控制输入功率.
特征
•增强型MOSFET晶体管(IDD≅0@ VDD=12.5V, VGG=0V)
• Put>13W,ηT>40% @ VDD=12.5V, VGG=5V, Pin=50mW
•宽带频率范围：330-400MHz
•低功耗控制电流IGG=1mA (typ)在VGG=5V
•模块尺寸：66 x 21 x 9.88 mm
•线性操作有可能通过设置静态漏电流同门电压和输出功率的控制输入功率
三：RA07H0608M是7-watt RF的MOSFET放大器模块为12.5-volt，在68-合作，88-MHz范围内的行动收音机.电池可以直接连接到漏极增强型MOSFET晶体管.如果没有门电压(VGG进排水=0V),只是一个很小的泄漏电流与输入信号衰减的RF高达60 dB.输出功率作为栅极和漏极电压增加电流增加.随着gate voltage around 4V (minimum), output power and drain current大幅增加.额定输出功率变为可在4.5V（典型值）和5V（）.在VGG=5V,典型栅极电流1 mA.该模块是专为非线性调频调制，但可能也可用于线性调制通过设置静态漏电流随栅极电压和输出功率控制输入功率.
特征
•增强型MOSFET晶体管(IDD≅0@ VDD=12.5V, VGG=0V)
• Pout>7W @ VDD=12.5V, VGG=5V, Pin=30mW
•ηT>38% @ Pout=7W (VGG控制），VDD=12.5V, Pin=30mW
•宽带频率范围：68-88MHz
•低功耗控制电流IGG=1mA (typ)在VGG=5V
•模块尺寸：30 x 10 x 5.4 mm
•线性操作有可能通过设置静态漏电流同门电压和输出功率的控制输入功率