欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

进口原装DRV8837DSGR

日期:2018-11-2类别:会员资讯 阅读:610 (来源:互联网)
公司:
瑞利诚科技(深圳)有限公司
联系人:
陈小姐
手机:
13631649137
电话:
086-0755-83255665-804
传真:
086-0755-83980300
QQ:
2881496441
地址:
深圳市福田区振华路海外装饰大厦A座6楼
摘要:DRV883x 为摄像机、消费类产品、玩具和其它低电压或者电池供电的运动控制类应用提供了一个集成的电机驱动器解决方案。

品牌:TI

型号;DRV8837DSGR

封装:QFN

包装:3000
年份:17+
产地:MY
数量:33000

瑞利诚科技(深圳)有限公司

联系人:何小姐

电话:83253832

qq:3007215867



描述

DRV883x 为摄像机、消费类产品、玩具和其它低电压或者电池供电的运动控制类应用提供了一个集成的电机驱动器解决方案。 此器件能够驱动一个直流电机或其他诸如螺线管的器件。 输出驱动器块由一个配置为 H 桥的 N 通道功率 MOSFET 组成,以驱动电机绕组。 一个内部电荷泵生成所需的栅极驱动电压。

DRV883x 能够提供高达 1.8A 的输出电流。 它运行在 0 至 11V 之间的电机电源电压,以及 1.8V 至 7.0V 范围内的器件电源电压上。

DRV8837 具有一个 PWM (IN/IN) 输入接口;DRV8837 具有一个 PH/EN 输入接口(此处应为 DRV8838 具有一个 PH/EN 输入接口)。 这两个接口都与行业标准器件兼容。

还提供用于过流保护、短路保护、欠压闭锁和过热保护的内部关断功能。


特性

H 桥电机驱动器

驱动一个直流电机或其他负载

低金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 导通电阻:高侧 + 低侧 (HS + LS) 280mΩ

1.8A 最大驱动电流

独立的电机和逻辑电源引脚: 电机 VM:0 至 11V

逻辑 VCC:1.8 至 7V  脉宽调制 (PWM) 或 PH/EN 接口

DRV8837:脉宽调制 (PWM),IN1/IN2  DRV8838:PH/EN

具有 120nA 最大睡眠电流的低功耗睡眠模式  nSLEEP 引脚

小型封装尺寸  8 超薄小外形尺寸封装 (WSON) (PowerPAD)

2.0mm × 2.0mm  保护特性  VCC 欠压闭锁 (UVLO)

过流保护 (OCP)    热关断 (TSD) 应用范围  摄像机

数字单镜头反光 (DSLR) 镜头   消费类产品  玩具  机器人技术   医疗设备

输入插脚可以在建议的操作条件下驱动,不管是否有VCC和/或VM

电力供应。电源不存在泄漏电流路径。有一个弱下拉电阻

(大约100 kΩ)在每个输入插口。

VCC和VM可以以任何顺序应用和删除。当VCC被移除时,设备将进入low

从VM中提取很少的电流。如果电源电压,VCC和VM可以连接在一起在1。8到7v之间。

VM电压电源不存在任何欠压锁定保护(UVLO),只要VCC > 1.8 V;

内部设备逻辑将保持活动状态。这意味着VM引脚电压可能降至0 V,然而

在低VM电压下,负载可能不能充分驱动。

DRV883x完全防护VCC欠压、过流和超温事件。

VCC欠压锁定:VCC引脚上的电压在任何时候都低于欠压锁定

阈值电压,h桥内所有FETs将被禁用。当VCC高于UVLO时,操作恢复阈值。

7.3.2睡眠模式

如果nSLEEP引脚进入逻辑低电平状态,则DRV883x进入低功耗休眠模式。在这种状态下,所有

不必要的内部电路断电。

7.3.3电源和输入端子

输入引脚可以在其推荐的操作条件下在有或没有VCC和/或VM的情况下被驱动

电源供应。电源不存在漏电流路径。有一个弱下拉电阻

每个输入引脚接地(约100kΩ)。

可以按任何顺序应用和移除VCC和VM。移除VCC后,设备将输入低电平

电源状态并从VM吸取非常小的电流。如果供电电压,VCC和VM可以连接在一起

介于1.8和7 V之间。

VM电源没有任何欠压锁定保护(UVLO),只要VCC> 1.8 V;

内部设备逻辑将保持活动状态。这意味着VM引脚电压可能会下降到0 V,但是

在低VM电压下可能无法充分驱动负载。

7.3.4保护电路

DRV883x可完全防止VCC欠压,过流和过温事件。

VCC欠压锁定:如果VCC引脚上的电压在任何时候低于欠压锁定

阈值电压,H桥中的所有FET都将被禁用。当VCC升至UVLO以上时,操作恢复

阈。

过流保护(OCP):每个FET上的模拟限流电路限制通过FET的电流

卸下门驱动器。如果此模拟电流限制持续时间超过tDEG,则H桥中的所有FET都将为

禁用。 tRETRY结束后,操作将自动恢复。将检测到过电流情况

高端和低端设备。 VM,GND或OUT1至OUT2的短路会导致过流条件