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汉高亮相SEMICON China 2025 助力半导体产业在AI时代打造新质生产力
中国,上海 —— 2025年3月26日,汉高粘合剂电子事业部携多款面向未来的前沿产品与解决方案亮相SEMICON China 2025,围绕“芯世界,智未来”主题,聚焦先进封装、车规级应用及绿色可持续发展领域,从而助力半导体行业在AI时代更好地打造新质生产力。 当前,以DeepSeek为代表的低成本、高效率开放式人工智能大模型的快速发展,在全球半导体行业掀起了一场技术变革。行业对更强大、更高效、更紧凑芯片的需求呈爆发式增长,与此同时,...
日期：2025-4-1阅读：734 -
Z-sensor半导体压力传感器
1. 产品简介Z-sensor半导体压力传感器是一种采用先进半导体技术设计的高灵敏度压力传感器。它能够精确地测量多种介质的压力，包括气体和液体，适用于工业自动化系统、汽车电子、医用设备等多种应用场景。Z-sensor传感器以其优越的性能，良好的稳定性和快速响应时间，赢得了客户的广泛好评。该产品的设计理念是为了满足现代工业和科技在精确测量方面的需求，不仅保证了测量的准确性，同时还兼具了抗干扰能力和耐用性。 2. 产品功能Z-sensor...
日期：2025-3-25阅读：736 -
CC2310 cloudchild 云潼低压MOS 功率半导体
CC2310 cloudchild 云潼低压MOS 功率半导体电压参数阈值电压（VGS (th)）：使漏极开始有电流或关断 MOSFET 时电流消失时的栅源电压，一般来说，云潼科技相关 VDMOS 专利可将阈值电压提升到 0.6V-0.8V，CC2310 有可能在此范围内。电流参数连续漏电流（ID）：芯片在最大额定结温 TJ (max) 下，管表面温度在 25℃或者更高温度时，允许通过的最大连续直流电流。脉冲漏极电流（IDM）：能够承受...
日期：2025-3-12阅读：701 -
CCM03N120 cloudchild 云潼高压MOS 半导体场效应晶体管
基本信息：从型号来看，“CCM” 是云潼科技产品的特定系列标识，“03” 代表着该芯片的一些特定参数或版本信息，“N” 表明其为 N 沟道场效应管，“120” 通常意味着耐压值为 1200V 级别的高压 MOS。性能特点高耐压：具备 1200V 以上的耐压能力，能够在高电压环境下稳定工作，可有效应对汽车等应用场景中的高电压系统，如汽车的高压电池系统等。低导通电阻：导通电阻处于 30mΩ-80mΩ，较低的导通电阻可以降低在导通状态下的能量...
日期：2025-2-27阅读：735 -
CCM2E40D04T cloudchild 云潼MOS IGBT 功率半导体
CCM2E40D04T cloudchild 云潼MOS IGBT 功率半导体命名含义推测“40”：可能代表该器件的耐压值为 40V ，意味着它能够承受的最大电压为 40 伏特，这决定了其使用场景的电压范围。“D”：可能表示该 MOSFET 的某些特定系列或者特性，不同字母在不同厂家命名规则里含义不同。“04”：或许和导通电阻、额定电流等关键参数有关，例如导通电阻可能相对较小，有助于降低功率损耗。“T”：可能代表封装类型或者产品的版本号...
日期：2025-2-24阅读：706 -
CCM2Q60N04S cloudchild 云潼MOS IGBT 功率半导体
CCM2Q60N04S cloudchild 云潼MOS IGBT基本参数推测从型号 “CCM2Q60N04S” 来看，“60” 通常表示该器件的耐压值为 60V，“N” 代表 N 沟道，“04” 可能和导通电阻、电流承载能力等参数相关。不过要获得准确参数，需参考官方数据手册。产品特点低导通电阻：低导通电阻可以有效降低导通损耗，提高功率转换效率，减少发热，使得该器件在工作过程中能够更高效地传递电流，特别适用于对能效要求较高的应用场景。快...
日期：2025-2-24阅读：706 -
CCM190ND04LND cloudchild 云潼MOS IGBT 功率半导体
深圳市奥伟斯科技有限公司是一家专注触摸芯片,单片机,电源管理芯片,语音芯片,场效应管,显示驱动芯片,网络接收芯片,运算放大器,红外线接收头及其它半导体产品的研发,代理销售推广的高新技术企业. 奥伟斯科技自成立以来一直致力于新半导体产品在国内的推广与销售,年销售额超过壹亿人民币是一家具有综合竞争优势的专业电子元器件代理商. 本公司代理推广的一系列优秀触摸芯片及语音芯片，现以大批量应用到智...
日期：2025-2-22阅读：794 -
CCM2E60N04S cloudchild 云潼MOS IGBT 功率半导体
产品概述CCM2E60N04S是一款应用广泛的MOS IGBT（绝缘栅双极晶体管）功率半导体，设计用于高效能的电源管理和过载保护。该产品运用先进的半导体材料与技术，确保在高温、高压及高频率条件下的稳定工作，为各种电子设备提供可靠的电力支持。 主要功能1. 高效能：CCM2E60N04S的设计使其具备极低的导通电阻（Rds(on)），有效降低功率损耗，提高系统整体效率。该产品适用于高性能电源转换器、逆变器等应用，有效提升能量转换率，降低运...
日期：2025-2-22阅读：786 -
CCM2E50N04T cloudchild 云潼MOS IGBT 功率半导体
深圳市奥伟斯科技有限公司是一家专注触摸芯片,单片机,电源管理芯片,语音芯片,场效应管,显示驱动芯片,网络接收芯片,运算放大器,红外线接收头及其它半导体产品的研发,代理销售推广的高新技术企业. 奥伟斯科技自成立以来一直致力于新半导体产品在国内的推广与销售,年销售额超过壹亿人民币是一家具有综合竞争优势的专业电子元器件代理商. 本公司代理推广的一系列优秀触摸芯片及语音芯片，现以大批量应用到智能电子锁、饮水机...
日期：2025-2-22阅读：770 -
CCQ4828 cloudchild 云潼MOS IGBT 功率半导体
深圳市奥伟斯科技有限公司是一家专注触摸芯片,单片机,电源管理芯片,语音芯片,场效应管,显示驱动芯片,网络接收芯片,运算放大器,红外线接收头及其它半导体产品的研发,代理销售推广的高新技术企业. 奥伟斯科技自成立以来一直致力于新半导体产品在国内的推广与销售,年销售额超过壹亿人民币是一家具有综合竞争优势的专业电子元器件代理商. 本公司代理推广的一系列优秀触摸芯片及语音芯片，现以大批量应用到智能电子锁、饮水机、电饭煲、...
日期：2025-2-22阅读：710 -
CCM2D04D06T cloudchild 云潼MOS IGBT 功率半导体
CCM2D04D06T CloudChild 云潼MOS IGBT 功率半导体产品说明欢迎走进深圳市奥伟斯科技有限公司的电子产品世界。作为一家专注于高科技电子产品的销售代表，我们致力于为客户提供卓越的产品和服务。今天，我们特别介绍我们的明星产品——CCM2D04D06T CloudChild 云潼MOS IGBT 功率半导体。 产品功能CCM2D04D06T云潼MOS IGBT功率半导体是一款高性能的绝缘栅双极型晶体管，其创新设计使得...
日期：2025-2-22阅读：703 -
CCM2G04N06T cloudchild 云潼MOS IGBT 功率半导体
深圳市奥伟斯科技有限公司是一家专注触摸芯片,单片机,电源管理芯片,语音芯片,场效应管,显示驱动芯片,网络接收芯片,运算放大器,红外线接收头及其它半导体产品的研发,代理销售推广的高新技术企业.奥伟斯科技自成立以来一直致力于新半导体产品在国内的推广与销售,年销售额超过壹亿人民币是一家具有综合竞争优势的专业电子元器件代理商.本公司代理推广的一系列优秀触摸芯片及语音芯片，现以大批量应用到智能电子锁、饮水机、电饭煲、LED台灯等控制器为顾客提供最...
日期：2025-2-22阅读：708 -
CCQ4559 cloudchild 云潼MOS IGBT 功率半导体
深圳市奥伟斯科技有限公司是一家专业的电子产品商城，致力于为客户提供高品质的电子元器件和解决方案。我们的重点产品之一是CCQ4559 Cloudchild 云潼MOS IGBT，这是一种新型的绝缘栅双极型晶体管，广泛应用于电力电子、变频器、太阳能逆变器等众多领域。接下来，我们将从产品功能、性能参数及我们的购买指南对这一产品进行详细介绍。 产品功能CCQ4559 Cloudchild 云潼MOS IGBT是一款高效能电子开关设备，能够有效地...
日期：2025-2-22阅读：708 -
CCM20N6-2A cloudchild 云潼MOS IGBT 功率半导体
CCM20N6-2A cloudchild 云潼MOS IGBT 功率半导体产品命名规则推测CCM：可能是云潼科技功率半导体产品系列的特定标识或代码，用于区分不同的产品线或技术平台。20：一般表示该器件的某些关键参数，有可能代表其电流处理能力为 20A，或者是与电流相关的一个规格指标。N：通常表示该器件为 N 沟道场效应管（MOSFET）或 N 型 IGBT。在半导体器件中，N 型表示主要的载流子为电子，与 P 型相对，其导电特性和工作...
日期：2025-2-21阅读：1178 -
CCM2E30D04T cloudchild 云潼MOS IGBT 功率半导体
CCM2E30D04T cloudchild 云潼MOS IGBT MOSFET 与 IGBT 的特点MOSFET 特点高输入阻抗：由于栅极与通道之间有氧化物绝缘层，使得其输入阻抗很高，能减少输入信号的功耗。低功耗：在导通状态下几乎没有功耗，适用于对低功耗有要求的场景。快速开关速度：开关速度极快，可应用于高频率的电路环境中。IGBT 特点高电流承受能力：能够承载较高的电流，适用于高功率的应用场景。可控性好：相较于双极型晶体管，...
日期：2025-2-21阅读：1182 -
CCG200T75L cloudchild 云潼高IGBT 高效功率半导体器件
CCG200T75L Cloudchild 云潼IGBT 产品说明 产品概述深圳市奥伟斯科技有限公司自创立以来，始终致力于为全球客户提供高品质、高性能的电子产品解决方案。我们通过不断的创新和研发，推出了众多领先市场的产品，其中 CC200T75L Cloudchild 云潼IGBT 是我们的一款旗舰产品，它凭借出众的性能和稳定的质量，受到了广泛的关注和认可。CCG200T75L 云潼IGBT 是一种高效的功率半导体器件，主要用于各种电...
日期：2025-2-8阅读：1036 -
FDD4685-F085P深圳市恒益昌科技分立半导体产品原装现货销售
深圳市恒益昌科技有限公司——FDD4685-F085P电子产品详解在现代科技快速发展的时代，电子元器件已成为各种电子设备中不可或缺的一环。而深圳市恒益昌科技有限公司，作为一家专注于电子产品销售的公司，致力于为客户提供高品质的产品及优质的服务。今天，我们将重点介绍我们原装现货销售的分立半导体产品——FDD4685-F085P。 产品概述FDD4685-F085P是一款优秀的 N-channel MOSFET，它被广泛应用于开关电源、逆变...
日期：2024-11-4阅读：824 -
SK海力士3亿美元收购越南半导体公司ISCVina
据越南北部永福省政府网站上的声明，韩国SK集团以3亿美元的价格收购了位于永福省的越南半导体公司ISCVina Manufacturing Co.，后者在Ba Thien 2工业园运营。而也在前几日，SK海力士被报道削减了其CIS业务。SK海力士并购越南半导体公司这起并购发生在越南政府加强扶持半导体产业政策的背景下。被并购方ISCVina是越南本地的半导体公司，与国际半导体大厂相比，ISCVina的市场份额占比较小，不过该公司具备灵活...
日期：2024-10-23阅读：688 -
ATSAMR35J17BT-I/7JX 半导体 无线和射频集成电路
ATSAMR35J17BT-I/7JX 半导体无线和射频集成电路产品说明在当今迅速发展的电子科技市场上，无线和射频技术的应用愈发广泛，尤其是在物联网（IoT）设备的崛起下，良好的无线性能已成为关键。深圳市毅创腾电子科技有限公司销售一部，作为行业内的知名电子产品供货商，自豪地向您推荐 ATSAMR35J17BT-I/7JX 半导体无线和射频集成电路。这款产品不仅在技术上做到精益求精，更在性能上稳居行业领先。 产品功能ATSAMR35J1...
日期：2024-10-18阅读：647 -
CS4N80FA9HD 金属氧化物半导体场效应管
深圳市乐创天科技有限公司产品说明欢迎来到深圳市乐创天科技有限公司的电子产品商城！作为一家专业的电子产品供应商，我们致力于为客户提供高品质的产品和卓越的服务。我们拥有丰富的产品线，涵盖了从消费电子到商业设备的多种选择。今天，我们将重点介绍我们的特色产品之一——CS4N80FA9HD，帮助您更好地了解我们的产品功能、性能参数及购买指南。 CS4N80FA9HD 电子元件简介CS4N80FA9HD 是一款经过精心设计的高压MOSFET（金属...
日期：2024-10-15阅读：601