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企业资讯 > 晶体管

  • IRFH7084TRPBF 晶体管 MOSFET

    制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PQFN-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:40 VId-连续漏极电流:265 ARds On-漏源导通电阻:950 uOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:3.9 VQg-栅极电荷:127 nC最小工作温度...

    日期:2024-1-11阅读:879
  • BSS83PH6327XTSA1 晶体管 MOSFET

    制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:330 mARds On-漏源导通电阻:1.4 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:2 VQg-栅极电荷:2.38 nC最小工作温...

    日期:2024-1-9阅读:864
  • MMBT4401LT1G 晶体管 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

    制造商:onsemi产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)RoHS: 详细信息安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:NPN配置:Single集电极—发射极最大电压 VCEO:40 V集电极—基极电压 VCBO:60 V发射极 - 基极电压 VEBO:6 V集电极—射极饱和电压:750 mV最大直流电集电极电流:600 mAPd-功率耗散:225 mW增益带宽产品fT:250 MHz最小...

    日期:2024-1-6阅读:852
  • VPT双极晶体管产品

    VPT Components为军事、国防、卫星和航空航天行业提供高可靠性分立半导体产品,所有双极晶体管产品均符合MIL-PRF-19500斜线表(Slash Sheet)的要求,并可提供 JAN, JANTX, JANTXV, JANS, and JANSR 质量等级的产品,MOSFET产品可提供JANS和JANSR质量等级产品。2N34192N34202N34212N34392N34402N34412N34422N35842N3585...

    日期:2024-1-5阅读:862
  • 仓库现货BC847B,215晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 45 V 100 mA 100MHz 250 mW 一件起售 欢

    产品状态在售晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100 mA电压 - 集射极击穿(最大值)45 V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)400mV @ 5mA,100mA电流 - 集电极截止(最大值)15nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)200 @ 2mA,5V功率 - 最大值250 mW频率 - 跃迁100MHz工作温度150°...

    日期:2023-12-28阅读:841
  • DMP4015SK3-13 晶体管 MOSFET

    制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETREACH - SVHC:详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:DPAK-3 (TO-252-3)晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:40 VId-连续漏极电流:14 ARds On-漏源导通电阻:11 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 VVgs th-栅...

    日期:2023-12-11阅读:801
  • SISS27DN-T1-GE3 晶体管 MOSFET

    制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息REACH - SVHC:详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:50 ARds On-漏源导通电阻:5.6 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-...

    日期:2023-12-4阅读:757
  • IPD90P04P405ATMA2 晶体管 MOSFET

    制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:DPAK-3 (TO-252-3)晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:40 VId-连续漏极电流:90 ARds On-漏源导通电阻:4.7 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:3 VQg-栅极电荷:118 ...

    日期:2023-12-1阅读:759
  • 光学开关(透射型,光电晶体管输出) HOA0892-P55

    制造商: Honeywell 产品种类: 光学开关(透射型,光电晶体管输出) RoHS: 环保槽宽: 3.3 mm 集电极—发射极最大电压 VCEO: 30 V 最大集电极电流: 30 mA If - 正向电流: 50 mA 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 85 C 商标: Honeywell 下降时间: 15 us 高度: 11.05 mm 长度: 18.72 mm 通道数量: 1 Channel 输出类型: Ph...

    日期:2023-11-27阅读:755
  • 光学开关(反射型,光电晶体管输出)HOA1397-122

    制造商: Honeywell 产品种类: 光学开关(反射型,光电晶体管输出) 感应距离: 1.27 mm 最大集电极电流: 30 mA Vf - 正向电压: 1.6 V Vr - 反向电压 : 3 V 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 85 C 安装风格: Through Hole 商标: Honeywell 高度: 4.95 mm If - 正向电流: 20 mA 长度: 6.35 mm 通道数量: 1 Channel...

    日期:2023-11-27阅读:747
  • 光学开关(反射型,光电晶体管输出)HOA1404-001

    制造商: Honeywell 产品种类: 光学开关(反射型,光电晶体管输出) RoHS: 环保感应距离: 5 mm 集电极—发射极最大电压 VCEO: 30 V 最大集电极电流: 30 mA Vf - 正向电压: 1.6 V Vr - 反向电压 : 3 V 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 100 C 安装风格: Through Hole 商标: Honeywell 下降时间: 15 us 高度: 16.38 mm I...

    日期:2023-11-25阅读:743
  • 光电晶体管:SD1410-001L

    制造商: Honeywell 产品种类: 光电晶体管 RoHS: 环保封装 / 箱体: Metal Can 集电极—发射极最大电压 VCEO: 15 V 暗电流: 250 nA 上升时间: 75 us 下降时间: 75 us Pd-功率耗散: 75 mW 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 125 C 商标: Honeywell 半强度角度: 24 deg 高度: 3.1 mm 长度: 2.41 mm 产品类型: Pho...

    日期:2023-11-25阅读:737
  • 光学开关(透射型,光电晶体管输出)HOA1889-013

    制造商: Honeywell 产品种类: 光学开关(透射型,光电晶体管输出) RoHS: 环保光圈宽度: 0.5 mm 集电极—发射极最大电压 VCEO: 15 V 最大集电极电流: 30 mA If - 正向电流: 50 mA 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 85 C 商标: Honeywell 下降时间: 75 us 高度: 11.94 mm 长度: 14.55 mm 通道数量: 2 输出类型: Photodarl...

    日期:2023-11-25阅读:742
  • 光学开关(透射型,光电晶体管输出) HOA1881-013

    制造商: Honeywell 产品种类: 光学开关(透射型,光电晶体管输出) RoHS: 环保槽宽: 3.18 mm 集电极—发射极最大电压 VCEO: 15 V 最大集电极电流: 30 mA If - 正向电流: 50 mA 安装风格: Through Hole 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 85 C 系列: HOA1881 商标: Honeywell 下降时间: 75 us 高度: 15.62 mm 长度: 2...

    日期:2023-11-23阅读:760
  • 光电晶体管:SDP8105-001

    制造商: Honeywell 产品种类: 光电晶体管 RoHS: 环保产品: Photodarlingtons 封装 / 箱体: T-1-2 安装风格: Through Hole 集电极—发射极最大电压 VCEO: 15 V 集电极—射极击穿电压: 15 V 集电极—射极饱和电压: 1.1 V 暗电流: 250 nA 上升时间: 75 us 下降时间: 75 us Pd-功率耗散: 70 mW 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度...

    日期:2023-11-23阅读:731
  • 光学探测器和传感器 光电晶体管: SD1440-001

    制造商: Honeywell 产品种类: 光电晶体管 产品: Phototransistors 封装 / 箱体: Metal Can 集电极—发射极最大电压 VCEO: 30 V 集电极—射极击穿电压: 30 V 集电极—射极饱和电压: 400 mV 暗电流: 100 nA 上升时间: 15 us 下降时间: 15 us Pd-功率耗散: 75 mW 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 125 C 商标: Honeywel...

    日期:2023-11-22阅读:740
  • 光电晶体管:SMD2440-012

    制造商: Honeywell 产品种类: 光电晶体管 产品: Phototransistors 封装 / 箱体: CSMD 集电极—发射极最大电压 VCEO: 30 V 集电极—射极击穿电压: 30 V 集电极—射极饱和电压: 400 mV 暗电流: 100 nA 上升时间: 15 us 下降时间: 15 us Pd-功率耗散: 125 mW 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 125 C 商标: Honeywell 高度...

    日期:2023-11-22阅读:748
  • VD MOSFET长园维安WMJ20N65D1B半导体场效应晶体管优势型号

    深圳市联大实业有限公司是一家专业为新型能源产品提供核心电子零件的代理商, 既提供包括各类 IGBTs、MOSFET、快速二极管、整流桥、可控硅、碳化硅二极管和场效应 管和控制IC等关键的半导体器件,也提供薄膜电容器、铝电解电容器、电流传感器和滤波 器等产品,能为功率变换的各个环节提供关键的元器件。   我们拥有专业的销售工程师团队,能为客户提供正确、高效和经济的元器件方案, 让客户的设计...

    日期:2023-11-20阅读:672
  • 上海长园维安半导体场效应晶体管WML12N65D1B原装现货

          WAYON VDMOS系列可显著降低导通电阻和超低栅极电荷,适合要求高功率密度和高效率的应用。      其产品规格涵盖500伏至1500伏。它广泛和稳定地用于SMPS,充电器,DC-DC等产品。它非常稳定,      符合RoHS标准。  上海长园维安/深圳市联大电子有限公司(总代理)廖雪花:电话13670166496 &n...

    日期:2023-11-20阅读:637
  • ULN2803ADWR 晶体管 达林顿晶体管

    制造商:Texas Instruments产品种类:达林顿晶体管RoHS: 详细信息配置:Octal晶体管极性:NPN集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V最大直流电集电极电流:500 mA安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-18最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C系列:ULN2803A封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:Texas Instruments高度:2...

    日期:2023-11-10阅读:611