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型号: | MG100Q2YS11 |
生命周期: | Active |
IHS 制造商: | TOSHIBA CORP |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7 |
Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.71 |
Is Samacsys: | N |
最大集电极电流 (IC): | 100 A |
集电极-发射极最大电压: | 1200 V |
配置: | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最大降落时间(tf): | 1000 ns |
门极-发射极最大电压: | 20 V |
JESD-30 代码: | R-PUFM-X7 |
元件数量: | 2 |
端子数量: | 7 |
最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 800 W |
认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Insulated Gate BIP Transistors |
表面贴装: | NO |
端子形式: | UNSPECIFIED |
端子位置: | UPPER |
晶体管应用: | POWER CONTROL |
晶体管元件材料: | SILICON |
VCEsat-Max: | 2.7 V |
Base Number Matches: | 1 |
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