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MG150N2YS1产品参数
型号:MG150N2YS1
生命周期:Active
IHS 制造商:TOSHIBA CORP
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7
针数:7
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.73
其他特性:HIGH SPEED SWITCHING
外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):150 A
集电极-发射极最大电压:1000 V
配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码:R-PUFM-X7
元件数量:2
端子数量:7
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):800 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER
晶体管应用:MOTOR CONTROL
晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):1200 ns
标称接通时间 (ton):700 ns
VCEsat-Max:5 V
Base Number Matches:1
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