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  • MG150N2YS40图
  • HECC GROUP CO.,LIMITED

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  • MG150N2YS40
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  • MG150N2YS40图
  • 上海硅威科技有限公司

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  • MG150N2YS40
  • 数量8880 
  • 厂家TOSHIBA 
  • 封装标准封装 
  • 批号22+ 
  • 公司只做全新原装进口正品 现货直销 质保一年
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  • MG150N2YS40图
  • 江苏华美半导体有限公司

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  • MG150N2YS40
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  • 原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保一年
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配单直通车
MG150N2YS40产品参数
型号:MG150N2YS40
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:TOSHIBA CORP
包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.82
最大集电极电流 (IC):150 A
集电极-发射极最大电压:1000 V
配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
元件数量:2
极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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