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  • MG150Q2YS40(S50)图
  • 深圳市特顺芯科技有限公司

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  • MG150Q2YS40图
  • HECC GROUP CO.,LIMITED

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  • MG150Q2YS40
  • 数量390 
  • 厂家TOSHIBA 
  • 封装*原装模块 
  • 批号2021+ 
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  • QQ:3003818780QQ:3003819484
  • 755-83950019 QQ:3003818780QQ:3003819484
  • MG150Q2YS40图
  • 上海磐岳电子有限公司

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  • MG150Q2YS40
  • 数量5800 
  • 厂家TOSHIBA 
  • 封装MODULE 
  • 批号2024+ 
  • 全新原装现货,杜绝假货。
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  • MG150Q2YS40(S50)图
  • 上海意淼电子科技有限公司

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  • MG150Q2YS40(S50)
  • 数量20000 
  • 厂家富士 
  • 封装150A/1200V/2U 
  • 批号23+ 
  • 原装现货热卖!请联系吴先生 13681678667
  • QQ:617677003
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  • MG150Q2YS40图
  • 上海硅威科技有限公司

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  • MG150Q2YS40
  • 数量8880 
  • 厂家TOSHIBA 
  • 封装标准封装 
  • 批号22+ 
  • 公司只做全新原装进口正品 现货直销 质保一年
  • QQ:2885615943
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  • 深圳市欧立现代科技有限公司

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  • MG150Q2YS40
  • 数量200 
  • 厂家东芝 
  • 封装模块 
  • 批号22+ 
  • ★★专业模块现货,诚信经营,低价出售,欢迎询购★★
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  • MG150Q2YS40(S50)图
  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 数量98500 
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  • 江苏华美半导体有限公司

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  • 厂家21+ 
  • 封装5000 
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  • 原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保一年
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  • 深圳市特顺芯科技有限公司

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MG150Q2YS40产品参数
型号:MG150Q2YS40
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
针数:7
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.23
其他特性:HIGH SPEED
外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):150 A
集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间(tf):500 ns
门极发射器阈值电压最大值:6 V
门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-XUFM-X7
元件数量:2
端子数量:7
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:1100 W
最大功率耗散 (Abs):1100 W
认证状态:Not Qualified
最大上升时间(tr):600 ns
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:MOTOR CONTROL
晶体管元件材料:SILICON
VCEsat-Max:4 V
Base Number Matches:1
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