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MG200Q1ZS40产品参数
型号:MG200Q1ZS40
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:TOSHIBA CORP
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PUFM-X5
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.87
Is Samacsys:N
其他特性:HIGH SPEED
外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):200 A
集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间(tf):500 ns
门极发射器阈值电压最大值:6 V
门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-PUFM-X5
元件数量:1
端子数量:5
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:1300 W
最大功率耗散 (Abs):1300 W
认证状态:Not Qualified
最大上升时间(tr):600 ns
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER
晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON
VCEsat-Max:4 V
Base Number Matches:1
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