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  • 深圳市欧立现代科技有限公司

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  • 北京耐芯威科技有限公司

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  • 北京耐芯威科技有限公司

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  • 深圳市硅诺电子科技有限公司

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  • 深圳市赛尔通科技有限公司

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 深圳市浩兴林电子有限公司

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  • 上海意淼电子科技有限公司

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  • 江苏华美半导体有限公司

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  • 原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保一年
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  • 上海硅威科技有限公司

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  • 深圳市创思克科技有限公司

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产品型号MG25J1BS11的概述

芯片MG25J1BS11的概述 MG25J1BS11是一款由知名半导体制造公司生产的高性能集成电路,专为电力电子变换器和电机控制应用而设计。该芯片充分体现了现代集成电路技术在效率、稳定性和尺寸方面的优势,适用于各种工业和消费电子产品。得益于其优秀的电气性能和灵活的应用场景,MG25J1BS11在市场上获得了越来越多的关注,并逐渐成为设计师和工程师的新宠。 芯片MG25J1BS11的详细参数 MG25J1BS11具备重要的电气参数,使其在各种应用中发挥出色的性能。主要参数包括: - 工作电压范围:MG25J1BS11支持的工作电压范围广泛,通常为10V至25V,为电源设计提供了极大的灵活性。 - 最大输出电流:该芯片的最大输出电流通常达到25A,满足大多数中小型电机控制及电源变换应用的需求。 - 功耗:其功耗特性优秀,尤其是在静态工作状态下,静态功耗控制在极低水平,有助于提高系统整体能效...

产品型号MG25J1BS11的Datasheet PDF文件预览

配单直通车
MG25J1BS11产品参数
型号:MG25J1BS11
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:TOSHIBA CORP
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X3
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.81
其他特性:HIGH SPEED
外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):25 A
集电极-发射极最大电压:600 V
配置:SINGLE
最大降落时间(tf):1000 ns
门极发射器阈值电压最大值:6 V
门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-XUFM-X3
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:125 W
最大功率耗散 (Abs):150 W
认证状态:Not Qualified
最大上升时间(tr):600 ns
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER
晶体管应用:MOTOR CONTROL
晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):1000 ns
标称接通时间 (ton):400 ns
VCEsat-Max:2.7 V
Base Number Matches:1
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