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产品型号MG50J2YS45的概述

MG50J2YS45芯片概述 MG50J2YS45是一款高性能的功率MOSFET,广泛应用于电源管理和逆变器等领域。作为一种高压大功率开关器件,MG50J2YS45以其优异的导通电阻和快速开关特性著称,适用于各类工业与消费电子设备。该芯片的设计使其具备卓越的热管理能力,从而提升整体系统的可靠性和效率。 详细参数 MG50J2YS45的主要电气参数包括: 1. 额定电压:650V 2. 额定电流:50A 3. 最大功耗:100W 4. 导通电阻:约0.25Ω(室温下) 5. 开关频率:最高可达100kHz 6. 反向恢复时间:约200ns 7. 工作温度范围:-40°C至+125°C 这些参数表明MG50J2YS45能够在高压及高电流环境下稳定工作,适合用于需要高效电源转化的场合。 厂家、包装与封装 MG50J2YS45由Mitsubishi Electric Corporation生...

产品型号MG50J2YS45的Datasheet PDF文件预览

配单直通车
MG50J2YS45产品参数
型号:MG50J2YS45
生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.81
最大集电极电流 (IC):50 A
集电极-发射极最大电压:600 V
配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码:R-PUFM-X7
元件数量:2
端子数量:7
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER
晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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