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  • 深圳市欧立现代科技有限公司

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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 深圳市潮南大宇电子有限公司

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  • 江苏华美半导体有限公司

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  • 上海意淼电子科技有限公司

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  • 厂家东芝型号(6单元 600V) 低导通压降型 IGBT 
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  • 艾润(香港)电子有限公司

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MG75J6ES1产品参数
型号:MG75J6ES1
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PUFM-X19
针数:19
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.78
外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):75 A
集电极-发射极最大电压:600 V
配置:BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码:R-PUFM-X19
元件数量:6
端子数量:19
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:MOTOR CONTROL
晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):500 ns
标称接通时间 (ton):400 ns
Base Number Matches:1
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