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  • MG75Q1ZS40图
  • 上海硅威科技有限公司

     该会员已使用本站8年以上
  • MG75Q1ZS40
  • 数量8880 
  • 厂家TOSHIBA 
  • 封装标准封装 
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  • QQ:2885615943
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  • MG75Q1ZS40图
  • 江苏华美半导体有限公司

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  • MG75Q1ZS40
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  • 厂家21+ 
  • 封装5000 
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  • 原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保一年
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配单直通车
MG75Q1ZS50产品参数
型号:MG75Q1ZS50
生命周期:Active
IHS 制造商:TOSHIBA CORP
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5
针数:5
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.81
最大集电极电流 (IC):100 A
集电极-发射极最大电压:1200 V
门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-XUFM-X5
元件数量:1
端子数量:5
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
最大功率耗散 (Abs):600 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER
VCEsat-Max:3.6 V
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