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  • 上海熠富电子科技有限公司

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MGF0912A产品参数
型号:MGF0912A
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:MITSUBISHI ELECTRIC CORP
包装说明:FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数:2
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75
风险等级:5.82
Is Samacsys:N
外壳连接:SOURCE
配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:10 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):10 A
最大漏极电流 (ID):2.6 A
FET 技术:JUNCTION
最高频带:S BAND
JESD-30 代码:R-CDFM-F2
元件数量:1
端子数量:2
工作模式:DEPLETION MODE
最高工作温度:175 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:53.6 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
端子形式:FLAT
端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches:1
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