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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 上海意淼电子科技有限公司

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  • 千层芯半导体(深圳)有限公司

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产品型号MGFC36V5258的Datasheet PDF文件预览

配单直通车
MGFC36V5258产品参数
型号:MGFC36V5258
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:MITSUBISHI ELECTRIC CORP
包装说明:FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数:2
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.84
其他特性:HIGH RELIABILITY
外壳连接:SOURCE
配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:10 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):2.8 A
最大漏极电流 (ID):2.8 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带:C BAND
JESD-30 代码:R-CDFM-F2
元件数量:1
端子数量:2
工作模式:DEPLETION MODE
最高工作温度:175 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:25 W
最小功率增益 (Gp):9 dB
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
端子形式:FLAT
端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches:1
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