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  • MGP20N36CL图
  • 深圳市正信鑫科技有限公司

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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • MGP20N36CL
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • MGP20N36CL
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  • 厂家ON-安森美 
  • 封装车规-晶体管 
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MGP20N40CL产品参数
型号:MGP20N40CL
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.24
其他特性:LOGIC LEVEL
外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):20 A
集电极-发射极最大电压:440 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
门极发射器阈值电压最大值:2.4 V
门极-发射极最大电压:15 V
JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):150 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
晶体管应用:AUTOMOTIVE IGNITION
晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):18000 ns
标称接通时间 (ton):8000 ns
Base Number Matches:1
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