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| 型号: | MIC5014BN |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP8,.3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.68 |
| 高边驱动器： | YES |
| 输入特性： | STANDARD |
| 接口集成电路类型： | BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T8 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 9.525 mm |
| 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 |
| 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C |
| 输出特性： | TOTEM-POLE |
| 输出极性： | TRUE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP8,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 电源： | 3/30 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | MOSFET Drivers |
| 最大供电电压： | 30 V |
| 最小供电电压： | 2.75 V |
| 标称供电电压： | 5 V |
| 表面贴装： | NO |
| 技术： | MOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 断开时间： | 30 µs |
| 接通时间： | 8000 µs |
| 宽度： | 7.62 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
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